[實用新型]半導體薄膜晶體管

有效

• 申請號: 201120072090.7
• 申請日: 2011-03-18
• 公開（公告）號: CN202025764U
• 公開（公告）日: 2011-11-02
• 發明（設計）人: 傅志敏;王戰娥;金弼
• 申請（專利權）人: 深圳南玻偉光導電膜有限公司
• 主分類號: H01L29/786
• 分類號: H01L29/786;H01L29/45
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 何平

【技術領域】

本發明涉及半導體元件領域，尤其涉及一種半導體薄膜晶體管。

【背景技術】

半導體薄膜晶體管一般包括柵極、柵極絕緣層、通道層及源極/漏極等膜層結構，其通常在顯示器，如液晶顯示器中，作為開關元件使用。

如圖1和圖2所示，傳統的半導體薄膜晶體管100包括基底層(圖中未示)、設于基底層上的氧化鋁柵極層(圖中未示)、設于氧化鋁柵極層上的鋁引線層110、以及設于氧化鋁柵極層及鋁引線層110上的用于形成源極的導電層120。

鋁引線層110在鍍膜完成后，需要對其進行進一步的加工處理，如雕刻成合適的圖案等，這些加工處理過程都是在大氣環境下進行的，但鋁裸露在大氣環境中，在其表面極易形成一層氧化鋁氧化層，氧化鋁的電導率很低，從而當在鋁引線層110上再鍍置導電層120時，由于氧化層的存在，增加了鋁引線層110與導電層120的接觸電阻，從而影響半導體薄膜晶體管100的驅動能力及使用壽命。

【發明內容】

基于此，有必要提供一種能顯著降低鋁膜接觸電阻的半導體薄膜晶體管。

一種半導體薄膜晶體管，包括基底層、設于基底層上的柵極層、設于柵極層上的鋁引線層、設于柵極層及鋁引線層上的用于形成源極的導電層，此外，該半導體薄膜晶體管還包括設于基底層與鋁引線層之間的抗氧化性金屬層，抗氧化性金屬層分別與鋁引線層及導電層電性接觸，所述鋁引線層與所述導電層之間絕緣。

在優選的實施方式中，鋁引線層與導電層接觸部分設有用于絕緣的氧化鋁層。

通過在基底層上先設置一層抗氧化性金屬層，做成圖案后，再設置鋁引線層，從而之前與鋁引線層直接電性接觸的導電層變成與抗氧化性金屬層直接電性接觸，間接形成與鋁引線層之間的電性連接，可以有效避免在加工過程中因鋁引線層裸露在空氣中易被氧化而增加接觸電阻的問題，從而可以有效提高半導體薄膜晶體管的驅動能力，延長其使用壽命。

【附圖說明】

圖1為傳統的半導體薄膜晶體管膜層結構示意圖；

圖2為圖1中鋁引線層與導電層接觸示意圖；

圖3為一實施方式中半導體薄膜晶體管膜層結構示意圖；

圖4為圖3中鋁引線層、抗氧化性金屬層及導電層的接觸示意圖。

【具體實施方式】

下面主要結合附圖及具體實施例對半導體薄膜晶體管的結構作進一步詳細的說明。

如圖3和圖4所示，一實施方式的半導體薄膜晶體管200包括基底層(圖中未示)、設于基底層上的柵極層(圖中未示)、設于柵極層上的鋁引線層210、以及設于柵極層及鋁引線層210上的用于形成源極的導電層220。此外，本實施方式的半導體薄膜晶體管200還包括設于基底層與鋁引線層210之間的抗氧化性金屬層230。抗氧化性金屬層230同時與鋁引線層210及導電層220電性接觸，鋁引線層210與導電層220之間絕緣。

本實施方式中的半導體薄膜晶體管200在制造過程中，首先在基底層上形成柵極層及抗氧化性金屬層230；加工成合適的圖案后，再在柵極層及抗氧化性金屬層230上鍍置鋁引線層210，從而鋁引線層210與抗氧化性金屬層230形成電性接觸；鋁引線層210鍍置完成后，將鋁引線層210加工成合適的圖案，抗氧化性金屬層230有一接觸角裸露出來；然后對鋁引線層210的與將要鍍置的導電層220接觸的表面進行選擇性氧化處理后，形成一氧化鋁層240，再在抗氧化性金屬層230裸露出的接觸角及鋁引線層210上鍍置導電層220，從而鋁引線層210與導電層220接觸部分由于氧化鋁層240的存在而絕緣，導電層220通過抗氧化性金屬層230形成與鋁引線層210的間接電性接觸，可以有效避免在加工過程中因鋁引線層210裸露在空氣中易被氧化而增加接觸電阻的問題，從而可以有效提高半導體薄膜晶體管200的驅動能力，延長其使用壽命。

本實施方式的柵極層為氧化鋁材質。抗氧化性金屬層230為銅金屬層，在其他實施方式中，抗氧化性金屬層230還可以為其他在大氣環境中不易被氧化的穩定性較好的金屬層，例如鉑、金、銀或鎳等金屬層。

以上所述實施例僅表達了本發明的幾種實施方式，其描述較為具體和詳細，但并不能因此而理解為對本發明專利范圍的限制。應當指出的是，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本發明構思的前提下，還可以做出若干變形和改進，這些都屬于本發明的保護范圍。因此，本發明專利的保護范圍應以所附權利要求為準。