[實用新型]半導體薄膜晶體管有效
| 申請號： | 201120072090.7 | 申請日： | 2011-03-18 |
| 公開（公告）號： | CN202025764U | 公開（公告）日： | 2011-11-02 |
| 發明（設計）人： | 傅志敏;王戰娥;金弼 | 申請（專利權）人： | 深圳南玻偉光導電膜有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/786 | 分類號： | H01L29/786;H01L29/45 |
| 代理公司： | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人： | 何平 |
| 地址： | 518000 廣東省深圳市*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體 薄膜晶體管 | ||
【權利要求書】：
1.一種半導體薄膜晶體管，包括基底層、設于所述基底層上的柵極層、設于所述柵極層上的鋁引線層、設于所述柵極層及所述鋁引線層上的用于形成源極的導電層，其特征在于，還包括設于所述基底層與所述鋁引線層之間的抗氧化性金屬層，所述抗氧化性金屬層與所述鋁引線層及所述導電層電性接觸，所述鋁引線層與所述導電層之間絕緣。
2.如權利要求1所述的半導體薄膜晶體管，其特征在于，所述鋁引線層與所述導電層接觸部分設有用于絕緣的氧化鋁層。
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