[實用新型]垂直結構差分集成螺旋電感無效
| 申請號: | 201120054936.4 | 申請日: | 2011-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN201985097U | 公開(公告)日: | 2011-09-21 |
| 發明(設計)人: | 劉軍;孫玲玲;王皇 | 申請(專利權)人: | 杭州電子科技大學 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01;H01F17/00 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 杜軍 |
| 地址: | 310018 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 垂直 結構 集成 螺旋 電感 | ||
1.垂直結構差分集成螺旋電感,包括處于同一芯片內的第一引線層(Feed1)、第二引線層(Feed2)、第一左金屬層(1)、第二左金屬層(21)、第三左金屬層(22)、第四左金屬層(31)、第一右金屬層(7)、第二右金屬層(62)、第三右金屬層(61)、第四右金屬層(52)、第二金屬層(4)、第三中左金屬層(51)、第三中右金屬層(32)、第一通孔(V1)、第二通孔(V2)、第三通孔(V3)、第四通孔(V4)、第五通孔(V5)、第六通孔(V6)、第七通孔(V7)、第八通孔(V8)、第九通孔(V9)和第十通孔(V10),其特征在于:
第一引線層(Feed1)的一端與第一左金屬層(1)的一端連接,第一左金屬層(1)的另一端向下依次通過第一通孔(V1)、第二左金屬層(21)、第二通孔(V2)、第三左金屬層(22)和第三通孔(V3)后與第四左金屬層(31)的一端連接,第四左金屬層(31)的另一端通過第四通孔(V4)與第三中右金屬層(32)的一端連接,第三中右金屬層(32)的另一端通過第五通孔(V5)與第二金屬層(4)的一端連接,第二金屬層(4)的另一端通過第六通孔(V6)與第三中左金屬層(51)的一端連接,第三中左金屬層(51)的另一端通過第七通孔(V7)與第四右金屬層(52)的一端連接,第四右金屬層(52)的另一端向上依次通過第八通孔(V8)、第三右金屬層(61)、第九通孔(V9)、第二右金屬層(62)和第十通孔(V10)后與第一右金屬層(7)的一端連接,第一右金屬層(7)的另一端與第二引線層(Feed2)的一端連接;
所述的第一引線層(Feed1)、第二引線層(Feed2)、第一左金屬層(1)和第一右金屬層(7)處于同一上層;
所述的第二左金屬層(21)、第二金屬層(4)和第二右金屬層(62)?處于同一次上層;
所述的第三左金屬層(22)、第三中左金屬層(51)、第三中右金屬層(32)和第三右金屬層(61)處于同一次下層;
所述的第四右金屬層(52)?和第四左金屬層(31)處于同一下層;
所述的第一左金屬層(1)、第二左金屬層(21)、第三左金屬層(22)、第一右金屬層(7)、第二右金屬層(62)、第三右金屬層(61)和第二金屬層(4)均為條形片狀結構;
所述的第四左金屬層(31)和第四右金屬層(52)為L形片狀結構且在該層內呈中心對稱;
所述的第三中左金屬層(51)和第三中右金屬層(32)為Z形片狀結構且在該層內呈中心對稱;
所述的上層、次上層、次下層,下層之間相互平行且絕緣。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





