[實用新型]定位環(huán)及研磨頭有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120054440.7 | 申請日: | 2011-03-03 |
| 公開(公告)號: | CN202127000U | 公開(公告)日: | 2012-01-25 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王慶玲;邵群 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/304 | 分類號: | H01L21/304 |
| 代理公司: | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時云 |
| 地址: | 201203 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 定位 研磨 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及化學機械研磨設(shè)備,尤其涉及一種定位環(huán)及研磨頭。
背景技術(shù)
化學機械平坦化(chemical?mechanical?polish,CMP)技術(shù)是半導體制造業(yè)中常用的平坦化技術(shù)。化學機械平坦化工藝所使用的化學機械研磨設(shè)備包括研磨頭(polishing?head)、轉(zhuǎn)盤(platen)、設(shè)置在所述轉(zhuǎn)盤上的研磨墊(pad)和研磨液噴嘴(slurry?nozzle)。在化學機械研磨制程中,所述研磨頭吸附住晶圓背面,晶圓正面被壓在所述研磨墊的研磨表面上,所述研磨液噴嘴噴射出的研磨液置于晶圓正面與所述研磨墊的研磨表面之間,通過晶圓正面與研磨墊的研磨表面之間的相對運動將晶圓正面平坦化。
圖1所示為現(xiàn)有技術(shù)中的研磨頭,所述研磨頭具有本體100,所述本體100內(nèi)形成加壓室101,所述加壓室101的下開口部由橡膠膜102封閉,晶圓103吸附在所述橡膠膜102的底部,所述晶圓103的邊沿被定位環(huán)104包圍,所述定位環(huán)104固定在所述本體100的底端,用于限定所述晶圓103的位置,所述定位環(huán)104沿所述本體100的徑向向內(nèi)延伸,所述橡膠膜102的邊緣支撐于所述定位環(huán)104上。
使用上述研磨頭時,研磨頭下降,將所述定位環(huán)104向研磨墊105的表面推壓,此時,向所述加壓室101供給氣體,使所述橡膠膜102膨脹,對所述晶圓103施加力的作用,使所述晶圓103壓在所述研磨墊105的表面。通過外力對所述本體100施力,從而使所述定位環(huán)104壓在所述研磨墊105的表面上,使所述晶圓103壓在所述研磨墊105表面的力由所述加壓室101內(nèi)的氣壓施加,即所述定位環(huán)104受到的力與所述晶圓103受到的力施力物體不同,因此,對所述定位環(huán)104施加的力的大小常常與對所述晶圓103施加的力的大小不同,通常,所述定位環(huán)104受到的力比所述晶圓103受到的力大,即所述定位環(huán)104對所述研磨墊105施加的力比所述晶圓103對所述研磨墊105施加的力大,這易導致所述晶圓103邊緣處的研磨墊105變形,使該處的研磨墊105向上隆起,
如圖2所示,隆起的研磨墊105使所述晶圓103邊緣受到的研磨力與所述晶圓103中央受到的研磨力不一致(所述晶圓103邊緣受到的研磨力比所述晶圓103中央受到的研磨力大),從而使所述晶圓103邊緣的研磨速率與所述晶圓103中央的研磨速率不一致,導致晶圓的邊緣排除區(qū)(edge?exclusion)較大,所述邊緣排除區(qū)不能用于制作半導體器件,因此,所述邊緣排除區(qū)越大,晶圓利用率越低,制造成本越高。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種定位環(huán)及研磨頭,可降低晶圓的邊緣排除區(qū)的大小,提高晶圓利用率,降低制造成本。
為了達到上述的目的,本實用新型提供一種定位環(huán),包括環(huán)形本體,所述環(huán)形本體壓在研磨墊的表面上,所述環(huán)形本體靠近所述研磨墊的一端設(shè)有凹槽,在所述環(huán)形本體靠近所述研磨墊的一端形成內(nèi)環(huán)和外環(huán),所述內(nèi)環(huán)沿其徑向的厚度比所述外環(huán)沿其徑向的厚度小。
上述定位環(huán),其中,所述內(nèi)環(huán)沿其軸向的長度比所述外環(huán)沿其軸向的長度短。
上述定位環(huán),其中,所述內(nèi)環(huán)沿其軸向的長度與所述外環(huán)沿其軸向的長度之差為1~3mm。
上述定位環(huán),其中,所述凹槽的深度為5~10mm。
上述定位環(huán),其中,所述凹槽的橫截面呈矩形。
上述定位環(huán),其中,所述凹槽的橫截面呈弧形。
上述定位環(huán),其中,所述凹槽的橫截面呈半圓形。
本發(fā)明提供的另一技術(shù)方案是一種研磨頭,包括本體,在所述本體的底端設(shè)有上述定位環(huán)。
上述研磨頭,其中,所述本體內(nèi)形成加壓室,所述加壓室的下開口部由橡膠膜封閉,所述定位環(huán)沿所述本體的徑向向內(nèi)延伸,所述橡膠膜的邊緣支撐于所述定位環(huán)上,晶圓吸附在所述橡膠膜的底部,所述晶圓的邊沿被所述定位環(huán)包圍。
本實用新型的定位環(huán)及研磨頭,在定位環(huán)的環(huán)形本體靠近研磨墊的一端開設(shè)凹槽,使環(huán)形本體靠近研磨墊的一端形成內(nèi)環(huán)和外環(huán),且內(nèi)環(huán)沿徑向的厚度比外環(huán)沿徑向的厚度小,將定位環(huán)向研磨墊的表面推壓時,作用力集中施加在外環(huán)上,內(nèi)環(huán)受到的力的作用很小,即內(nèi)環(huán)對研磨墊施加的力比較小,因此,在研磨過程中,晶圓邊緣處的研磨墊不發(fā)生形變,這樣不影響晶圓邊緣的研磨速率,能使晶圓邊緣的研磨速率與晶圓中央的研磨速率保持一致,有利于降低晶圓的邊緣排除區(qū)的大小,提高晶圓利用率,降低制造成本。
附圖說明
本實用新型的定位環(huán)及研磨頭由以下的實施例及附圖給出。
圖1是現(xiàn)有技術(shù)中研磨頭的結(jié)構(gòu)示意圖。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





