[實(shí)用新型]定位環(huán)及研磨頭有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120054440.7 | 申請日： | 2011-03-03 |
| 公開（公告）號： | CN202127000U | 公開（公告）日： | 2012-01-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 王慶玲;邵群 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/304 | 分類號： | H01L21/304 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 定位 研磨 | ||
1.一種定位環(huán)，包括環(huán)形本體，所述環(huán)形本體壓在研磨墊的表面上，其特征在于，所述環(huán)形本體靠近所述研磨墊的一端設(shè)有凹槽，在所述環(huán)形本體靠近所述研磨墊的一端形成內(nèi)環(huán)和外環(huán)，所述內(nèi)環(huán)沿其徑向的厚度比所述外環(huán)沿其徑向的厚度小。
2.如權(quán)利要求1所述的定位環(huán)，其特征在于，所述內(nèi)環(huán)沿其軸向的長度比所述外環(huán)沿其軸向的長度短。
3.如權(quán)利要求2所述的定位環(huán)，其特征在于，所述內(nèi)環(huán)沿其軸向的長度與所述外環(huán)沿其軸向的長度之差為1～3mm。
4.如權(quán)利要求1所述的定位環(huán)，其特征在于，所述凹槽的深度為5～10mm。
5.如權(quán)利要求1～4中任一權(quán)利要求所述的定位環(huán)，其特征在于，所述凹槽的橫截面呈矩形。
6.如權(quán)利要求1～4中任一權(quán)利要求所述的定位環(huán)，其特征在于，所述凹槽的橫截面呈弧形。
7.如權(quán)利要求6所述的定位環(huán)，其特征在于，所述凹槽的橫截面呈半圓形。
8.一種研磨頭，包括本體，其特征在于，在所述本體的底端設(shè)有如權(quán)利要求1～7中任一權(quán)利要求所述的定位環(huán)。
9.如權(quán)利要求8所述的研磨頭，其特征在于，所述本體內(nèi)形成加壓室，所述加壓室的下開口部由橡膠膜封閉，所述定位環(huán)沿所述本體的徑向向內(nèi)延伸，所述橡膠膜的邊緣支撐于所述定位環(huán)上，晶圓吸附在所述橡膠膜的底部，所述晶圓的邊沿被所述定位環(huán)包圍。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
