[實用新型]半導(dǎo)體封裝用鍍金導(dǎo)線架無效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201120051875.6 | 申請日： | 2011-03-02 |
| 公開（公告）號： | CN201956342U | 公開（公告）日： | 2011-08-31 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 陳志明;程新龍 | 申請（專利權(quán)）人： | 東莞矽德半導(dǎo)體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/495 | 分類號： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 東莞市中正知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)所 44231 | 代理人： | 魯慧波 |
| 地址： | 523000 *** | 國省代碼： | 廣東;44 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 半導(dǎo)體 封裝 鍍金 導(dǎo)線 | ||
【權(quán)利要求書】：
1.半導(dǎo)體封裝用鍍金導(dǎo)線架，其特征在于，該導(dǎo)線架，包括:至少一個半導(dǎo)體芯片座﹑排列于芯片座周圍的多個管腳以及支撐該芯片的多個連桿。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝用鍍金導(dǎo)線架，其特征在于，導(dǎo)線架分為鍍金區(qū)及非鍍金區(qū)，所述鍍金區(qū)表面鍍有金層。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝用鍍金導(dǎo)線架，其特征在于，鍍金層厚度為1μ英寸。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體封裝用鍍金導(dǎo)線架，其特征在于，所述鍍金層外層還鍍有銀層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體封裝用鍍金導(dǎo)線架，其特征在于，鍍銀層厚度為120~350μ英寸。
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