[實用新型]發光二極管

有效

• 申請號: 201120035093.3
• 申請日: 2011-02-09
• 公開（公告）號: CN201975415U
• 公開（公告）日: 2011-09-14
• 發明（設計）人: 龔正;楊政達;溫祥一
• 申請（專利權）人: 鼎元光電科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/22
• 分類號: H01L33/22
• 代理公司: 中科專利商標代理有限責任公司 11021
• 代理人: 梁愛榮

技術領域

本實用新型是關于一種發光二極管，特別是指一種可增加發光面積以及減少光源耗損的發光二極管。

背景技術

在中國臺灣，發光二極管發展的非常迅速，不管是大至街道上的顯示廣告牌，或小至手機的指示燈，都已逐漸由LED取代傳統光源，原因很簡單，因為較省電，使用壽命長以及體積小...等優點，然而，該發光二極管的成品與工藝流程雖然已趨向穩定，但還是會有缺失，如圖4及圖5所示，為現有的發光二極管前視圖及俯視圖，包含：一P型磊晶層41、一發光層42、一N型磊晶層43、一緩沖層44、一基板45、一P型電極46以及一N型電極47，其晶粒制作為在基板45上以有機金屬化學氣相沉積法依序磊晶成長該緩沖層44、N型磊晶層43、發光層42以及P型磊晶層41，最后再電性耦合P型電極46以及N型電極47，完成整個工藝流程；當發光時，光源是由發光層42向P型磊晶層41的表面射出，由于該光源必須層層通過，使得光輸出的路徑較長，且該光源射出的面積也僅有P形磊晶層41的表面。

因此，如何設計出一種可增加發光面積的創作，乃為本案創作人所亟欲解決的一大課題。

實用新型內容

本實用新型的目的之一在于提供一種發光二極管，通過磊晶芯片表面設有多個輪廓不規律的凹槽的特殊設計，可減少光輸出路徑以及增加發光面積，以達到提升發光效率的功效。

本實用新型的目的之二在于提供一種發光二極管，通過磊晶芯片的頂面呈粗糙狀，為非平坦式的設計，改變臨界角，減少了布拉格全反射，減少光源的耗損，使出光效果佳。

為達上述目的，本實用新型提供一種發光二極管，包括：一磊晶芯片、一P型電極以及一N型電極，該磊晶芯片的頂面設有多個輪廓不規律的凹槽，該凹槽的表面呈粗糙狀，且該磊晶芯片的頂面亦呈粗糙狀，該P型電極形成于該磊晶芯片上，該P型電極與該磊晶芯片電性耦合以及該N型電極形成于該磊晶芯片上，該N型電極與該磊晶芯片電性耦合。

其中，該磊晶芯片是由一P型磊晶層、一發光層以及一N型磊晶層由上而下依序結合而成。

其中，該P型電極設置于P型磊晶層表面。

其中，該P型磊晶層為鋁砷化鎵層。

其中，N型電極設置于N型磊晶層的底面。

其中，該N型磊晶層為鋁砷化鎵層。

本實用新型的有益效果，本實用新型通過磊晶芯片表面設有多個輪廓不規律的凹槽的特殊設計，可減少光輸出路徑以及增加發光面積，以達到提升發光效率的功效；通過磊晶芯片的頂面呈粗糙狀，為非平坦式的設計，改變臨界角，減少了布拉格全反射，減少光源的耗損，使出光效果佳。

附圖說明

圖1為本實用新型的發光二極管的前視圖。

圖2為本實用新型的發光二極管的俯視圖。

圖3為本實用新型的發光二極管的使用狀態圖。

圖4為現有的發光二極管的前視圖。

圖5為現有的發光二極管的俯視圖。

主要元件符號說明

1??磊晶芯片

10?凹槽

11?P型磊晶層

12?發光層

13?N型磊晶層

2??P型電極

3??N型電極

41?P型磊晶層

42?發光層

43?N型磊晶層

44?緩沖層

45?基板

46?P型電極

47?N型電極

具體實施方式

為了能夠更進一步了解本實用新型的特征、特點和技術內容，請參閱以下有關本實用新型的詳細說明與附圖，惟所附圖式僅提供參考與說明用，非用以限制本實用新型。

請參閱圖1及圖2所示，為本實用新型發光二極管的前視圖以及俯視圖，該發光二極管包括：一磊晶芯片1、一P型電極(P?Electrode)2以及一N型電極(N?Electrode)3。

該磊晶芯片1的頂面設有多個輪廓不規律的凹槽10，該凹槽10的表面呈粗糙狀，且該磊晶芯片的頂面亦呈粗糙狀，為非平坦式的設計，該P型電極2形成于該磊晶芯片4上，該P型電極2與該磊晶芯片1電性耦合以及該N型電極3形成于該磊晶芯片1上，該N型電極3與該磊晶芯片1電性耦合。

其中，該磊晶芯片1是由一P型磊晶層11、一發光層以12及一N型磊晶層13由上而下依序結合而成，該P型電極2設置于P型磊晶層11表面，該P型磊晶層11為鋁砷化鎵層(AlGaAs?P?Epi.Layer)，該N型電極3設置于N型磊晶層13的底面，該N型磊晶13層為鋁砷化鎵層(AlGaAs?N?Epi.Layer)。