[實用新型]發光二極管有效
| 申請號： | 201120035093.3 | 申請日： | 2011-02-09 |
| 公開（公告）號： | CN201975415U | 公開（公告）日： | 2011-09-14 |
| 發明（設計）人： | 龔正;楊政達;溫祥一 | 申請（專利權）人： | 鼎元光電科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/22 | 分類號： | H01L33/22 |
| 代理公司： | 中科專利商標代理有限責任公司 11021 | 代理人： | 梁愛榮 |
| 地址： | 中國臺灣新竹*** | 國省代碼： | 中國臺灣;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 發光二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種發光二極管，其特征在于，包括：
一磊晶芯片，該磊晶芯片的頂面設有多個輪廓不規律的凹槽，該凹槽的表面呈粗糙狀，且該磊晶芯片的頂面亦呈粗糙狀；
一P型電極，形成于該磊晶芯片上，該P型電極與該磊晶芯片電性耦合；以及
一N型電極，形成于該磊晶芯片上，該N型電極與該磊晶芯片電性耦合。
2.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該磊晶芯片是由P型磊晶層、發光層以及N型磊晶層由上而下依序結合而成。
3.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該P型電極設置于P型磊晶層表面。
4.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該P型磊晶層為鋁砷化鎵層。
5.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，N型電極設置于N型磊晶層的底面。
6.如權利要求1所述的發光二極管，其特征在于，該N型磊晶層為鋁砷化鎵層。
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