[實用新型]高電壓硅整流二極管無效
| 申請號： | 201120008403.2 | 申請日： | 2011-01-12 |
| 公開（公告）號： | CN202084549U | 公開（公告）日： | 2011-12-21 |
| 發明（設計）人： | 張春培 | 申請（專利權）人： | 連云港金堂福半導體器件有限公司 |
| 主分類號： | H01L29/861 | 分類號： | H01L29/861;H01L29/417 |
| 代理公司： | 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 | 代理人： | 申海慶 |
| 地址： | 222023 江*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 電壓 整流二極管 | ||
【權利要求書】：
1.一種高電壓硅整流二極管，包括晶粒和環氧模塑料，其特征在于：所述晶粒的PN結沉積較厚，所述晶粒的外側設置有引線裝置，所述晶粒與引線裝置的一端依次相連，所述環氧模塑料將所述晶粒和引線裝置的一端包覆在內。
2.根據權利要求1所述的高電壓硅整流二極管，其特征在于：所述引線裝置為一干字結構，包括一連接層、一防護層和一引線，所述連接層與所述焊片相接，所述引線的一端連接至連接層中央，所述防護層中央與所述引線連接。
3.根據權利要求1所述的高電壓硅整流二極管，其特征在于：所述晶粒和所述連接層相連側的表面積相等。
4.根據權利要求1至3任一所述的高電壓硅整流二極管，其特征在于：所述高電壓硅整流二極管為環保材料制作。?
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