[發(fā)明專利]從鍍液中去除雜質(zhì)的方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110463300.X | 申請(qǐng)日: | 2011-12-28 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102560570A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 羽切義幸 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 羅門哈斯電子材料有限公司 |
| 主分類號(hào): | C25D3/32 | 分類號(hào): | C25D3/32;C25D3/60 |
| 代理公司: | 上海專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 31100 | 代理人: | 樊云飛 |
| 地址: | 美國(guó)馬*** | 國(guó)省代碼: | 美國(guó);US |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 鍍液中 去除 雜質(zhì) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種從無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液中去除雜質(zhì)的方法。更具體地,本發(fā)明涉及一種通過(guò)添加某種芳香族磺酸到無(wú)電鍍錫鍍液中產(chǎn)生沉淀以從無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液中去除雜質(zhì)的方法。
發(fā)明背景
近年來(lái)無(wú)電鍍錫鍍覆已經(jīng)應(yīng)用于機(jī)械元件,撓性電路板和印刷線路板,和電子元件的電路圖案。無(wú)電鍍錫鍍覆經(jīng)常作為在銅或銅合金上的置換鍍錫。當(dāng)進(jìn)行置換錫鍍覆時(shí),替換后的銅變?yōu)殂~離子溶入鍍液中,因而在鍍覆過(guò)程中鍍液中的銅離子增加。銅離子的積聚使鍍膜惡化同時(shí)降低了鍍?cè)〉男阅埽虼诵枰鼡Q鍍液。
傳統(tǒng)已知的用于控制鍍液的方法是間歇式方法和供給-抽出方法(feed?and?bleed?method)。間隙式方法是一種當(dāng)鍍?cè)±匣蟾鼡Q新鍍?cè)〉姆椒ā2捎瞄g隙式方法鍍?cè)”仨氃诿看毋~離子濃度增加和鍍?cè)⌒阅芟陆档臅r(shí)候更新,因此它會(huì)導(dǎo)致各種各樣的問(wèn)題,比如增加制備新鍍覆浴的頻率,減少產(chǎn)量,和增加廢棄老化鍍液的成本。供給-抽出方法是一種當(dāng)鍍液溢流的同時(shí)連續(xù)鍍覆的方法。銅離子能夠通過(guò)溢流在不必停止鍍覆操作時(shí)移到系統(tǒng)外部,但必須補(bǔ)充大量的鍍液,這意味著增加成本。
為了解決這些問(wèn)題已經(jīng)提出了多種方法。例如,JP05222540A公開了一種通過(guò)冷卻已經(jīng)部分去除的浴液來(lái)沉淀鍍覆池中的銅硫脲絡(luò)合物的方法。銅硫脲絡(luò)合物通過(guò)過(guò)濾去除,并且濾出液返回原始鍍覆池中。JP2002317275A公開了一種操作幾乎與JP05222540A中的完全相同的方法。在該方法中,鍍液冷卻到低于40℃的溫度以沉淀銅硫脲絡(luò)合物。然后過(guò)濾和去除銅硫脲絡(luò)合物。
JP10317154A公開了以一種采用具有陽(yáng)極,陰極,和陽(yáng)離子和陰離子交換膜的再生電池的方法,在電解電池的陽(yáng)極沉積銅,在電鍍后添加的錫離子通過(guò)該陽(yáng)離子交換膜進(jìn)入鍍液中,然后將鍍液返回到鍍覆池中。JP04276082A公開了一種氧化分解銅硫脲絡(luò)合物的方法。
然而,在JP05222540A和JP2002317275A中公開的方法都需要冷卻步驟,并且用于鍍液的冷卻設(shè)備必須適合傳統(tǒng)的鍍覆設(shè)備。在JP10317154A中公開的方法需要用于再生的電解電池,這使設(shè)備復(fù)雜化。在JP04276082A中公開的方法需要氧化分解銅硫脲絡(luò)合物的化學(xué)試劑和設(shè)備。因此,仍然亟需從錫鍍液中去除雜質(zhì)的方法。
發(fā)明內(nèi)容
從無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液中去除雜質(zhì)的方法包括,提供包含一種或多種錫離子源和硫脲或硫脲化合物的無(wú)電鍍錫液,并且在無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液中添加足夠量的苯磺酸、苯磺酸水合物或其鹽以產(chǎn)生沉淀。
該方法包括再生包含一種或多種錫離子源和硫脲或硫脲化合物的無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液;在銅或銅合金上無(wú)電鍍覆錫后,接著在無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液中添加足夠量的苯磺酸、苯磺酸水合物或其鹽以產(chǎn)生沉淀。
該方法包括采用包含一種或多種錫離子源和硫脲或硫脲化合物的無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液來(lái)形成無(wú)電鍍錫或錫合金鍍膜;通過(guò)分離單元循環(huán)鍍覆池中的部分或全部無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液,并且在無(wú)電鍍錫或錫合金溶液中添加苯磺酸、苯磺酸水合物或其鹽后,通過(guò)分離單元過(guò)濾池中產(chǎn)生的沉淀。
該方法還包括一種包含一種或多種錫離子源和硫脲或硫脲化合物的用于鍍覆材料的無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液,和使用一種復(fù)合池鍍覆設(shè)備,所述復(fù)合池鍍覆設(shè)備包括鍍覆材料的主池,產(chǎn)生沉淀的沉淀池,連接在主池和沉淀池之間的能夠循環(huán)無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液的循環(huán)管道,放置在沉淀池和主池之間的固-液分離單元,其中該方法包括在沉淀池內(nèi)的無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液中添加苯磺酸、苯磺酸水合物或鹽的步驟,和采用固-液分離單元分離沉淀池內(nèi)溶液中產(chǎn)生的固體的步驟。
該方法進(jìn)一步包括一種包含一種或多種錫離子源和硫脲或硫脲化合物的用于鍍覆材料的無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液,使用單一池鍍覆設(shè)備,所述單一池鍍覆設(shè)備包括采用錫或錫合金鍍覆材料的鍍液池,連接到鍍液池的能夠循環(huán)部分或全部錫或錫合金鍍液的循環(huán)管道,和放置在鍍液循環(huán)路徑上的固-液分離單元,其中該方法包括使待鍍材料與鍍液池中的鍍液接觸的步驟,添加苯磺酸、苯磺酸水合物或其鹽到鍍液池內(nèi)的無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液中的步驟,通過(guò)循環(huán)管道循環(huán)溶液的步驟,和采用固-液分離單元分離和去除添加苯磺酸、苯磺酸水合物或其鹽后產(chǎn)生的沉淀的步驟。
一種用于控制無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液的方法,包括提供一種包含一種或多種錫離子源和硫脲或硫脲化合物的用于鍍覆銅或銅合金的無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液,其中在無(wú)電鍍錫或錫合金鍍液中添加苯磺酸、苯磺酸水合物或其鹽以產(chǎn)生沉淀,并降低鍍液中銅離子的濃度。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于羅門哈斯電子材料有限公司,未經(jīng)羅門哈斯電子材料有限公司許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110463300.X/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 一種數(shù)據(jù)庫(kù)讀寫分離的方法和裝置
- 一種手機(jī)動(dòng)漫人物及背景創(chuàng)作方法
- 一種通訊綜合測(cè)試終端的測(cè)試方法
- 一種服裝用人體測(cè)量基準(zhǔn)點(diǎn)的獲取方法
- 系統(tǒng)升級(jí)方法及裝置
- 用于虛擬和接口方法調(diào)用的裝置和方法
- 線程狀態(tài)監(jiān)控方法、裝置、計(jì)算機(jī)設(shè)備和存儲(chǔ)介質(zhì)
- 一種JAVA智能卡及其虛擬機(jī)組件優(yōu)化方法
- 檢測(cè)程序中方法耗時(shí)的方法、裝置及存儲(chǔ)介質(zhì)
- 函數(shù)的執(zhí)行方法、裝置、設(shè)備及存儲(chǔ)介質(zhì)





