[發明專利]半導體封裝件和用于在半導體封裝件中選擇芯片的方法

無效

• 申請號: 201110463178.6
• 申請日: 2011-12-07
• 公開（公告）號: CN102543938A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 姜泰敏
• 申請（專利權）人: 海力士半導體有限公司
• 主分類號: H01L23/498
• 分類號: H01L23/498;H01L23/538
• 代理公司: 北京市柳沈律師事務所 11105
• 代理人: 彭久云

1.一種半導體封裝件，包括：

第一半導體芯片，形成有第一貫穿硅通路；

第二半導體芯片，堆疊在所述第一半導體芯片上方且形成有第二貫穿硅通路；以及

懸臂，形成在所述第一半導體芯片上方且根據電信號而電連接至所述第一貫穿硅通路或所述第二貫穿硅通路。

2.根據權利要求1的半導體封裝件，進一步包括：

帶電體，形成在所述第一半導體芯片上方與所述第一貫穿硅通路分離的位置，以使所述懸臂變形。

3.根據權利要求1的半導體封裝件，其中所述懸臂包括：

第一突出部分，在與所述第一貫穿硅通路分離的位置從所述第一半導體芯片向上突出；以及

延伸部分，從所述第一突出部分向所述第二貫穿硅通路水平延伸。

4.根據權利要求3的半導體封裝件，其中所述懸臂進一步包括：

第二突出部分，從所述延伸部分向所述第二貫穿硅通路突出。

5.根據權利要求1的半導體封裝件，進一步包括：

錨固件，設置在所述懸臂下方以將所述懸臂固定至所述第一半導體芯片。

6.根據權利要求1的半導體封裝件，其中，所述懸臂包括從金、銀、銅、鋁、鎳、鎢、鈦、鉑、鈀、錫、鉛、鋅、銦、鎘、鉻和鉬構成的組中選擇的材料。

7.根據權利要求1的半導體封裝件，其中所述第一半導體芯片包括芯片選擇布線，以施加所述電信號至所述懸臂。

8.根據權利要求7的半導體封裝件，進一步包括：

開關元件，形成在所述芯片選擇布線上方以控制是否使所述懸臂變形。

9.根據權利要求8的半導體封裝件，其中，所述開關元件包括傳輸門。

10.根據權利要求8的半導體封裝件，進一步包括：

反相器，設置在所述芯片選擇布線上。

11.根據權利要求1的半導體封裝件，進一步包括：

密封劑，密封所述懸臂的周圍。

12.根據權利要求11的半導體封裝件，其中，所述密封劑選自由環氧樹脂、酚醛樹脂、丙烯樹脂和異氰酸酯樹脂構成的組。

13.根據權利要求11的半導體封裝件，進一步包括：

填充物，填充由所述密封劑限定的區域。

14.根據權利要求13的半導體封裝件，其中，所述填充物包括液相環氧樹脂或硅油。

15.根據權利要求1的半導體封裝件，進一步包括：

液體頂，涂覆在所述懸臂上。

16.根據權利要求15的半導體封裝件，其中，所述液體頂包括液相環氧樹脂或硅油。

17.根據權利要求1的半導體封裝件，進一步包括：

模塑組件，配置為模塑所述第一半導體芯片和所述第二半導體芯片。

18.根據權利要求1的半導體封裝件，其中，所述懸臂包括延伸部分，所述延伸部分從與所述第一貫穿硅通路分離的位置向所述第一貫穿硅通路或所述第二貫穿硅通路延伸，所述第一貫穿硅通路設置在所述延伸部分的下方，并且所述半導體封裝件進一步包括帶電體，所述帶電體設置在所述延伸部分的端部的下方且被用作下拉電極。

19.根據權利要求18的半導體封裝件，進一步包括：

導電突起，形成在所述第一貫穿硅通路上方。

20.一種用于在半導體封裝件中選擇第一和第二半導體芯片之一的方法，所述半導體封裝件包括多個半導體芯片，所述方法包括：

施加電信號至懸臂以使所述懸臂變形，從而使所述懸臂電連接包括在所述第一半導體芯片中的第一貫穿硅通路或包括在所述第二半導體芯片中的第二貫穿硅通路之一。

21.根據權利要求20的方法，進一步包括：

在所述第一半導體芯片中形成所述第一貫穿硅通路，并且在所述第一半導體芯片上方形成與所述第一貫穿硅通路分離的帶電體；

形成設置在所述第一貫穿硅通路上方的所述懸臂；以及

堆疊形成有所述第二貫穿硅通路的所述第二半導體芯片，使得所述第二貫穿硅通路設置在對應于所述第一貫穿硅通路的位置。