[發明專利]精確對準的搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管的制造方法

無效

• 申請號: 201110461842.3
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103762166A
• 公開（公告）日: 2014-04-30
• 發明（設計）人: 黃宇華;史亮亮;趙淑云
• 申請（專利權）人: 廣東中顯科技有限公司
• 主分類號: H01L21/336
• 分類號: H01L21/336;H01L29/786
• 代理公司: 北京瑞恒信達知識產權代理事務所(普通合伙) 11382
• 代理人: 苗青盛;王鳳華

1.一種搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管的制造方法，包括：

1)在襯底上形成多晶硅層；

2)在多晶硅層上形成柵極絕緣層、柵極層、光刻膠；

3)采用灰度光刻掩模版對光刻膠進行曝光以形成柵極掩膜，該灰度光刻掩模版包括位于兩側透光區以及位于透光區之間的相間排列的不透光區和部分透光區，且兩側的透光區與不透光區相鄰，其中柵極掩膜中對應于部分透光區的部分形成凹槽，凹槽的深度小于柵極掩膜的總厚度；

4)以柵極掩膜為阻擋，進行刻蝕以形成柵極，并進行離子注入以在多晶硅層中摻雜形成搭橋晶粒線以及源/漏極區。

2.根據權利要求1所述的制造方法，其中步驟4)中，先進行刻蝕以形成柵極，再進行離子注入。

3.根據權利要求1所述的制造方法，其中步驟4)中，先進行離子注入，再進行刻蝕以形成柵極。

4.根據權利要求1所述的制造方法，其中光刻膠中對應于兩側透光區的部分在顯影后被去除。

5.根據權利要求1所述的制造方法，其中多晶硅層中對應于兩側透光區的部分被離子注入摻雜而形成源/漏極區。

6.根據權利要求1所述的制造方法，其中多晶硅層中對應于部分透光區的部分被離子注入摻雜而形成搭橋晶粒線。

7.根據權利要求1所述的制造方法，其中多晶硅層中對應于不透光區的部分未被離子注入摻雜。

8.根據權利要求1所述的制造方法，其中離子注入的方向垂直于襯底。

9.根據權利要求3所述的制造方法，其中柵極層由低溫多晶硅構成。

10.一種搭橋晶粒多晶硅薄膜晶體管，利用如權利要求1所述的制造方法制成。