[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電膜及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110461274.7 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-26 |
| 公開(公告)號(hào): | CN103137238A | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭信良;黃承鈞;黃淑娟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01B1/04 | 分類號(hào): | H01B1/04;H01B1/18;H01B1/24;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京律誠同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國 |
| 地址: | 中國臺(tái)灣新竹*** | 國省代碼: | 中國臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明 導(dǎo)電 及其 形成 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明是涉及含有碳材的透明導(dǎo)電膜,更特別涉及具有可穩(wěn)定提升碳材導(dǎo)電膜的導(dǎo)電性的結(jié)構(gòu)的透明導(dǎo)電膜及其形成方法。
背景技術(shù)
納米碳管自1991年由Ijima發(fā)現(xiàn)以來即因其獨(dú)特的物理化學(xué)性質(zhì),在各應(yīng)用領(lǐng)域極具發(fā)展?jié)摿ΓT如電磁波遮蔽與靜電消散的導(dǎo)電添加應(yīng)用、儲(chǔ)能元件(如鋰二次電池、超高電容器及燃料電池等)電極、吸附材、催化劑載體及導(dǎo)熱材料等,皆為關(guān)鍵的核心材料之一。近期銦錫氧化物(tin-doped?indium?oxide、ITO)透明導(dǎo)電氧化物的價(jià)格不斷飆漲及其在大尺寸制程上的限制,加上軟性電子產(chǎn)業(yè)的興起,納米碳材的高導(dǎo)電度、低可見光吸收度,甚至高機(jī)械強(qiáng)度的特性使其在可撓式透明導(dǎo)電膜的應(yīng)用開發(fā)日益重要。以納米碳管為例,目前納米碳管透明導(dǎo)電膜的導(dǎo)電特性主要決定于納米碳管本質(zhì)導(dǎo)電度、碳管分散性以及網(wǎng)絡(luò)堆棧結(jié)構(gòu)的控制。不同制備方法及種類形式的碳管的電性差異極大,其薄膜導(dǎo)電度差異可高達(dá)數(shù)個(gè)數(shù)量級(jí)。為達(dá)較佳薄膜導(dǎo)電特性,仍需選擇較高純度的單層或雙層納米碳管。為進(jìn)一步提升透明導(dǎo)電膜的特性,除了進(jìn)行碳材來源篩選、純化,或是與諸如聚(3,4-二氧乙基噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)、PEDOT)、納米金屬及導(dǎo)電氧化物等材料進(jìn)行復(fù)合外,目前的主流為利用化學(xué)摻雜改善納米碳材導(dǎo)電膜的導(dǎo)電特性。
Nature,388,255(1997)文獻(xiàn)在真空中以鉀金屬蒸氣與鹵素(Br2)蒸氣對(duì)碳管導(dǎo)電膜進(jìn)行化學(xué)摻雜,可大幅降低碳管電阻,但大部分的產(chǎn)物在空氣中不甚穩(wěn)定。
美國專利6,139,919將單層納米碳管直接浸泡于熔融的碘中進(jìn)行摻雜,I2會(huì)先分解為I+與I3-并與碳管產(chǎn)生電荷轉(zhuǎn)移。經(jīng)摻雜處理的碳管薄膜面電阻可降1個(gè)數(shù)量級(jí)以上,且穩(wěn)定性較其它鹵素?fù)诫s為高。
J.Am.Chem.Soc.127,5125(2005)與Appl.Phy.Lett.,90,121913(2007)文獻(xiàn)將納米碳管透明導(dǎo)電膜直接以SOCl2與濃HNO3進(jìn)行處理,除了可協(xié)助移除表面分散劑以達(dá)碳管網(wǎng)絡(luò)致密化的功效外,也可進(jìn)行納米碳管的摻雜,整體面電阻的降低也很顯著,但同樣面臨穩(wěn)定性不佳的問題。
美國專利7,253,431使用單電子氧化劑先與納米碳管進(jìn)行反應(yīng)以改變碳管電性,所使用的氧化劑包括有機(jī)氧化劑、有機(jī)金屬絡(luò)合物、或π電子受體以及銀鹽等。美國專利2008001141使用具有強(qiáng)拉電子基的有機(jī)物作為摻雜物如2,3,5,6-四氟-7,7,8,8-四氰對(duì)醌二甲烷(2,3,5,6-Tetrafluoro-7,7,8,8-Tetracyano?quino-dimethane,TCNQ-F4),摻雜納米碳管分散液形成的堆棧結(jié)構(gòu),以提升碳管導(dǎo)電層的導(dǎo)電特性。
J.Am.Chem.Soc.,130,2062(2008)則探討具有不同拉電子(electron-with?drawing)與推電子(electron-donating)基團(tuán)的芳香族與脂肪族有機(jī)溶劑,如何改變單層納米碳管的電子組態(tài),得知具有拉電子基的溶劑可提升導(dǎo)電特性。
Adv.Func.Mater.,18,2548(2008)文獻(xiàn)在經(jīng)SOCl2與HNO3處理的碳管導(dǎo)電膜上涂布導(dǎo)電高分子層PEDOT-PSS,于室溫空氣中可穩(wěn)定超過1500小時(shí)。
ACS?Nano,4,6998(2010)使用雙三氟甲烷磺酰胺(bis(trifluoromethane?sulfonyl)amine,TFSA)等具有較高沸點(diǎn)的強(qiáng)拉電子基團(tuán)分子,對(duì)碳管進(jìn)行p型摻雜。由于摻雜物揮發(fā)性較低,使薄膜導(dǎo)電度在常溫的穩(wěn)定時(shí)間能得以延長。
Chem.Mater.,22,5179(2010)使用單電子氧化劑(one-electron?oxidant)如六氯銻酸三乙基氧鎓(triethyloxonium?hexachloroantimonate,OA)對(duì)碳管薄膜進(jìn)行p型摻雜,因OA為不具揮發(fā)性的金屬鹽類,因此具有穩(wěn)定的摻雜效應(yīng)。
美國專利早期公開2010099815提出將具有拉電子基團(tuán)(如TCNQ)以共價(jià)鍵固定于高分子側(cè)鏈,預(yù)期可穩(wěn)定對(duì)納米碳管摻雜的效果,但高分子包覆容易降低碳管薄膜的導(dǎo)電特性。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院,未經(jīng)財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110461274.7/2.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 導(dǎo)電糊劑及導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電圖案的形成方法、導(dǎo)電膜、導(dǎo)電圖案及透明導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電漿料和導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電端子及導(dǎo)電端子的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
- 導(dǎo)電構(gòu)件及使用多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電電路
- 導(dǎo)電型材和導(dǎo)電裝置
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜





