[發(fā)明專利]透明導(dǎo)電膜及其形成方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110461274.7 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-26 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103137238A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 郭信良;黃承鈞;黃淑娟 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院 |
| 主分類號(hào): | H01B1/04 | 分類號(hào): | H01B1/04;H01B1/18;H01B1/24;H01B5/14;H01B13/00 |
| 代理公司: | 北京律誠(chéng)同業(yè)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11006 | 代理人: | 徐金國(guó) |
| 地址: | 中國(guó)臺(tái)灣新竹*** | 國(guó)省代碼: | 中國(guó)臺(tái)灣;71 |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說(shuō)明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 透明 導(dǎo)電 及其 形成 方法 | ||
1.一種透明導(dǎo)電膜,包括:
一基材;以及
一導(dǎo)電復(fù)材,位于該基材上,所述導(dǎo)電復(fù)材包括:
一導(dǎo)電碳材;以及
一表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物,
其中該導(dǎo)電碳材是與該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物接觸,形成該導(dǎo)電復(fù)材。
2.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜,其中該導(dǎo)電碳材與該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物是以分層或混摻的結(jié)構(gòu),形成該導(dǎo)電復(fù)材。
3.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜,其中該導(dǎo)電碳材與該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物為交錯(cuò)排列的多層結(jié)構(gòu),形成該導(dǎo)電復(fù)材。
4.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜,其中該導(dǎo)電碳材為納米碳管、石墨烯、氧化石墨烯、石墨烯納米帶、或上述的組合。
5.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜,其中該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物的形狀為粒狀、片狀、網(wǎng)狀、膜狀、或上述的組合。
6.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜,其中該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物為表面改性有拉電子基的硅、錫、鈦、鋅、鋁、鋯、銦、銻、鎢、釔、鎂、或鈰的氧化物、硅酸鹽、氫氧化物、碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽、硫化物、或上述的組合。
7.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜,其中該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物是一具有拉電子基的硅烷接枝至非碳無(wú)機(jī)物,該具有拉電子基的硅烷是X-Si(R1)(R2)(R3),X為拉電子基團(tuán)或含有拉電子基團(tuán)的分子鏈,R1、R2及R3三者中至少一者為鹵素或-OR,R為C1-C4的烷基,其中該拉電子基團(tuán)是-NO2、-CN、-COCH3、-SO3H、-SO2CH3、-F、-Cl、-Br、或上述的組合。
8.如權(quán)利要求7所述的透明導(dǎo)電膜,其中該具有拉電子基的硅烷是三氟丙烷三甲氧基硅烷、氯甲基三甲氧基硅烷、或二硝基苯基胺基三乙氧基丙基硅烷。
9.如權(quán)利要求1所述的透明導(dǎo)電膜,其中該導(dǎo)電碳材與該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物是以混摻的結(jié)構(gòu),形成該導(dǎo)電復(fù)材,且該導(dǎo)電碳材與該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物的重量比介于1∶3至1∶5之間。
10.一種透明導(dǎo)電膜的形成方法,包括:
提供一基材;以及
形成一導(dǎo)電復(fù)材于該基材上,該導(dǎo)電復(fù)材包括:
一導(dǎo)電碳材;以及
一表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物,且該導(dǎo)電碳材與該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法,其中該導(dǎo)電碳材與該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物是以分層或混摻的結(jié)構(gòu),形成該導(dǎo)電復(fù)材。
12.如權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法,其中該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物的形成步驟包括將具有拉電子基的硅烷與非碳無(wú)機(jī)物于氣相或液相進(jìn)行水解-縮合或取代反應(yīng)。
13.如權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法,其中該導(dǎo)電碳材與該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物為交錯(cuò)排列的多層結(jié)構(gòu),形成該導(dǎo)電復(fù)材。
14.如權(quán)利要求10所述的透明導(dǎo)電膜的形成方法,其中該表面改性有拉電子基的非碳無(wú)機(jī)物為表面改性有拉電子基的硅、錫、鈦、鋅、鋁、鋯、銦、銻、鎢、釔、鎂、或鈰的氧化物、硅酸鹽、氫氧化物、碳酸鹽、硫酸鹽、磷酸鹽、硫化物、或上述的組合。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院,未經(jīng)財(cái)團(tuán)法人工業(yè)技術(shù)研究院許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購(gòu)買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110461274.7/1.html,轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來(lái)源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜
- 導(dǎo)電糊劑及導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電圖案的形成方法、導(dǎo)電膜、導(dǎo)電圖案及透明導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電片和導(dǎo)電圖案
- 導(dǎo)電漿料和導(dǎo)電膜
- 導(dǎo)電端子及導(dǎo)電端子的導(dǎo)電結(jié)構(gòu)
- 導(dǎo)電構(gòu)件及使用多個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件的導(dǎo)電電路
- 導(dǎo)電型材和導(dǎo)電裝置
- 透明導(dǎo)電膜用靶、透明導(dǎo)電材料、透明導(dǎo)電玻璃及透明導(dǎo)電薄膜





