[發明專利]制作透明傳導氧化層和光伏器件的方法

有效

• 申請號: 201110460740.X
• 申請日: 2011-12-22
• 公開（公告）號: CN102569064A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: H·A·布萊德斯;G·T·達拉科斯;D·W·費爾努伊;A·R·諾爾思拉普;J·C·羅霍;P·J·梅施特;彭紅櫻;曹洪波;奚衍罡;R·D·戈斯曼;張安平
• 申請（專利權）人: 通用電氣公司
• 主分類號: H01L21/324
• 分類號: H01L21/324;H01L31/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 柯廣華;朱海煜

1.一種方法，包括：

在支承上放置基本非晶氧化鎘錫層；以及

在基本不存在來自外部源的鎘的氣氛中對所述基本非晶氧化鎘錫層進行熱處理以形成透明層，其中所述透明層具有小于約2x10^-4Ohm-cm的電阻率。

2.如權利要求1所述的方法，其中，所述透明層的電阻率小于約1.8x10^-4?Ohm-cm。

3.如權利要求1所述的方法，其中，所述透明層的電阻率小于約1.5x10^-4?Ohm-cm。

4.如權利要求1所述的方法，其中，所述基本非晶氧化鎘錫層中的鎘對錫的原子比小于約2.5∶1。

5.如權利要求1所述的方法，其中，所述基本非晶氧化鎘錫層中的鎘對錫的原子比等于或小于約2∶1。

6.如權利要求1所述的方法，其中，所述基本非晶氧化鎘錫層中的鎘對錫的原子比等于或小于約1.8∶1。

7.如權利要求1所述的方法，其中，所述基本非晶氧化鎘錫層中的鎘對錫的原子比介于約1.7∶1到約2.1的范圍內。

8.如權利要求1所述的方法，其中，所述透明層包括具有基本單相尖晶石晶體結構的氧化鎘錫。

9.如權利要求1所述的方法，其中，熱處理包括以處理溫度、在真空條件下及在足以允許形成所述透明層的持續時間內加熱所述非晶氧化鎘錫層。

10.如權利要求1所述的方法，其中，熱處理包括以介于約500℃到約700℃范圍內的處理溫度加熱所述基本非晶氧化鎘錫層。

11.如權利要求1所述的方法，其中，熱處理包括在介于約1分鐘到約60分鐘范圍的持續時間內加熱所述基本非晶氧化鎘錫層。

12.如權利要求1所述的方法，其中，熱處理在小于約500托的壓力下進行。

13.如權利要求1所述的方法，其中，熱處理在等于或小于約250托的壓力下進行。

14.如權利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化鎘錫層包括濺射、蒸發、化學氣相沉積、旋涂或浸涂。

15.如權利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化鎘錫層包括從具有鎘對錫的原子比介于約1.5∶1到約2.5∶1的范圍內的一個或多個靶進行濺射。

16.如權利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化鎘錫層包括從具有鎘對錫的原子比介于約1.5∶1到約2∶1的范圍內的一個或多個靶進行濺射。

17.如權利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化鎘錫層包括從包含氧化鎘錫的單個靶進行濺射。

18.如權利要求1所述的方法，其中，放置基本非晶氧化鎘錫層包括從包含鎘和錫的單個靶進行反應濺射。

19.如權利要求1所述的方法，其中，所述透明層包括：

(a)包含氧化鎘錫的第一區域；以及

(b)包含鎘、錫和氧的第二區域，其中所述第二區域中鎘的原子濃度低于所述第一區域中鎘的原子濃度。

20.如權利要求1所述的方法，其中，所述透明層的厚度介于約100nm到約400nm的范圍內。

21.如權利要求1所述的方法，其中，所述透明層的遷移率大于約45cm²/Vs。

22.如權利要求1所述的方法，其中，所述透明層的平均光透射大于約95％。

23.一種方法，包括：

通過從一個或多個靶進行反應濺射在支承上放置基本非晶氧化鎘錫層；以及

在基本不存在來自外部源的鎘的氣氛中對所述基本非晶氧化鎘錫層進行熱處理以形成透明層，其中所述透明層具有小于約2x10^-4Ohm-cm的電阻率。

24.如權利要求23所述的方法，其中，所述一個或多個靶中的鎘對錫的原子比小于約2.5∶1。

25.如權利要求23所述的方法，其中，所述一個或多個靶中的鎘對錫的原子比等于或小于約2∶1。