[發明專利]一種MOSFET驅動電路有效
| 申請號: | 201110460659.1 | 申請日: | 2011-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN102510277A | 公開(公告)日: | 2012-06-20 |
| 發明(設計)人: | 吳劍輝;詹樺;吳建興 | 申請(專利權)人: | 杭州士蘭微電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/687 | 分類號: | H03K17/687 |
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| 地址: | 310012*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 mosfet 驅動 電路 | ||
技術領域
本發明涉及電源管理電路中的MOSFET驅動電路,尤其涉及一種使用柵源電壓鉗位技術的MOSFET驅動電路。
背景技術
電源管理電路的應用非常廣泛,絕大多數電源管理電路都需要內置或者外置MOSFET,無任是N溝道MOSFET還是P溝道MOSFET,都需要相應的驅動能力逐級增加的驅動電路。
圖1A所示為傳統的MOSFET驅動電路;所述開關模塊(11)為N溝道MOSFET或者P溝道MOSFET或者N溝道和P溝道MOSFET的組合,開關模塊的輸入端連接驅動模塊(12)的輸出端;所述驅動模塊(12)的輸入端連接電平轉換模塊(13)的輸出端,所述驅動模塊的輸出端連接開關模塊;所述電平轉換模塊(13)的輸入端作為控制信號,輸出端連接驅動模塊;電平轉換模塊將低壓控制信號轉換成高壓控制信號,再通過驅動模塊控制開關模塊的開關動作;所述開關模塊(11)為N溝道MOSFET或者P溝道MOSFET或者N溝道和P溝道MOSFET的組合,開關模塊的輸入端連接驅動模塊(12)的輸出端。
圖1A所示MOSFET驅動電路在P溝道MOSFET驅動中的具體應用如圖1B所示,所述驅動模塊(12)由第二MOS管M2、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第十二MOS管M12組成,第三MOS管M3的柵極和第十二MOS管M12的柵極相連,并連接所述電平轉換模塊(13)的輸出端,第二MOS管M2、第十一MOS管M11的漏極作為驅動模塊的輸出端連接開關模塊第一MOS管M1的柵極;所述電平轉換模塊(13)由第四MOS管M4、第五MOS管M5、第十三MOS管M13、第十四MOS管M14組成,第十四MOS管M14的柵極作為電平轉換模塊的輸入為第一控制信號Pctrl端,第十三MOS管M13的柵極作為電平轉換模塊的輸入為第二控制信號Nctrl端,第一控制信號Pctrl和第二控制信號Nctrl為互補的輸入控制信號,第四MOS管M4、第十三MOS管M13的漏極和第五MOS管M5的柵極相連并連接驅動模塊(22)的輸入端;所述開關模塊(11)為P溝道MOSFET第一MOS管M1,第一MOS管M1的源極作為驅動電路的輸入信號VIN端口,第一MOS管M1的漏極作為輸出信號VOUT端口,第一MOS管M1的柵極連接驅動模塊(12)的輸出端。
上述傳統的MOSFET驅動電路,其輸入信號VIN端口的工作電壓VIN受到驅動電路中所有驅動管的柵源耐壓的限制,以圖1B所示的P溝道MOSFET驅動電路為例,第一控制信號Pctrl和第二控制信號Nctrl為互補的輸入控制信號,該驅動電路有兩種工作狀態:
第一種是第一控制信號Pctrl為高電平、第二控制信號Nctrl為低電平時:第十四MOS管M14、第四MOS管M4、第十二MOS管M12、第二MOS管M2導通,第十三MOS管M13、第五MOS管M5、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第一MOS管M1關斷,假設管子導通時其漏源兩端電壓為0,則第十四MOS管M14、第四MOS管M4、第十二MOS管M12、第二MOS管M2,其柵、源兩端之間的電壓等于輸入信號電壓VIN,為了保證驅動電路正常工作,輸入信號電壓VIN不能大于第十四MOS管M14、第四MOS管M4、第十二MOS管M12、第二MOS管M2的柵源兩端之間的可以承受的耐壓;
第二種是第二控制信號Nctrl為高電平、第一控制信號Pctrl為低電平時:第十三MOS管M13、第五MOS管M5、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第一MOS管M1導通,第十四MOS管M14、第四MOS管M4、第十二MOS管M12、第二MOS管M2關斷,假設管子導通時其漏源兩端電壓為0,則第十三MOS管M13、第五MOS管M5、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第一MOS管M1,其柵、源兩端之間的電壓等于輸入信號電壓VIN,為了保證驅動電路正常工作,輸入信號電壓VIN不能大于第十三MOS管M13、第五MOS管M5、第三MOS管M3、第十一MOS管M11、第一MOS管M1的柵源兩端之間的可以承受的耐壓;
因此,圖1B所示的P溝道MOSFET驅動電路,其輸入信號端口的工作電壓VIN,必須小于驅動電路中所有管子的柵源耐壓,因此輸入信號電壓VIN的最高工作電壓范圍受到驅動電路中管子的柵源耐壓的限制。
發明內容
本發明要解決現有技術的不足,提供可以提高MOSFET驅動電路最高工作電壓的一種MOSFET驅動電路。
一種MOSFET驅動電路,包括:
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