[發明專利]一種MOSFET驅動電路

有效

• 申請號: 201110460659.1
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN102510277A
• 公開（公告）日: 2012-06-20
• 發明（設計）人: 吳劍輝;詹樺;吳建興
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭微電子股份有限公司
• 主分類號: H03K17/687
• 分類號: H03K17/687
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種MOSFET驅動電路，其特征在于，包括：

電平轉換模塊，所述電平轉換模塊在控制信號的控制下，將輸入端輸入的低壓信號轉換為高壓信號，所述高壓信號通過輸出端輸出；

N級驅動模塊，所述N為大于等于1的正整數，所述第一級驅動模塊連接電平轉換模塊的輸出端，接收高壓信號，各級驅動模塊依次串聯，第N級驅動模塊的輸出端驅動開關模塊的柵端；每一級驅動模塊包括上驅動MOS管、下驅動MOS管和控制管，上驅動MOS管的第一端連接電源端，下驅動管的第一端接地，上驅動MOS管的第二端和下驅動MOS管的第二端之間連接控制管，第N級驅動模塊的控制管控制開關模塊的柵源電壓，第i-1級驅動模塊的控制管控制第i級驅動模塊的上驅動MOS管和/或下驅動MOS管的柵源電壓，其中1＜＝i＜N的任意正整數；

鉗位模塊，所述鉗位模塊連接在電源和地之間，鉗位模塊的輸出端連接各控制管的柵端，為控制管鉗位驅動管的柵源電壓提供偏置電壓；

開關模塊，所述開關模塊的第一控制端連接電源，第二控制端作為MOSFET驅動電路的輸出端，所述開關模塊的柵極連接驅動模塊的輸出端。

2.如權利要求1所述MOSFET驅動電路，其特征在于：所述驅動模塊的上驅動管為PMOS管，上驅動MOS管的第一端為源端，上驅動MOS管的第二端為漏端，所述驅動模塊的下驅動管為NMOS管，下驅動管的第一端為源端，下驅動MOS管的第二端為漏端。

3.如權利要求2所述MOSFET驅動電路，其特征在于：所述開關模塊為P溝道MOSFET，開關模塊的第一控制端為源端，開關模塊的第二控制端為漏端。

4.如權利要求2所述MOSFET驅動電路，其特征在于：所述開關模塊為N溝道MOSFET，開關模塊的第一控制端為漏端，開關模塊的第二控制端為源端。

5.如權利要求3所述MOSFET驅動電路，其特征在于：第N級驅動模塊的控制管控制所述P溝道MOSFET的柵源電壓，第i-1級驅動模塊的控制管包括第一控制管和第二控制管，所述第一控制管控制第i級驅動模塊的上驅動MOS管的柵源電壓，所述第二控制管控制第i級驅動模塊的下驅動MOS管的柵源電壓。

6.如權利要求4所述MOSFET驅動電路，其特征在于：第N級驅動模塊的控制管控制所述N溝道MOSFET的柵源電壓，第i-1級驅動模塊的控制管包括第一控制管和第二控制管，所述第一控制管控制第i級驅動模塊的上驅動MOS管的柵源電壓，所述第二控制管控制第i級驅動模塊的下驅動MOS管的柵源電壓。

7.如權利要求3所述MOSFET驅動電路，其特征在于：第N級驅動模塊的控制管控制所述P溝道MOSFET的柵源電壓，第i-1級驅動模塊的控制管包括一個控制管所述控制管控制第i級驅動模塊的上驅動MOS管的柵源電壓。

8.如權利要求4所述MOSFET驅動電路，其特征在于：第N級驅動模塊的控制管控制所述N溝道MOSFET的柵源電壓，第i-1級驅動模塊的控制管包括一個控制管所述控制管控制第i級驅動模塊的下驅動MOS管的柵源電壓。

9.如權利要求1至8任意一項所述的MOSFET驅動電路，其特征在于：所述電平轉換模塊包括控制管和電平轉換管，所述電平轉換模塊的控制管控制第一級驅動模塊的上驅動MOS管和/或下驅動MOS管的柵源電壓。

10.如權利要求9所述的MOSFET驅動電路，其特征在于所述電平轉換模塊的控制管，控制電平轉換模塊中電平轉換MOS管的柵源電壓。