[發明專利]高純鉭靶材的制備方法

有效

• 申請號: 201110460441.6
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN102517531A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發明（設計）人: 姚力軍;相原俊夫;大巖一彥;潘杰;王學澤;周友平
• 申請（專利權）人: 寧波江豐電子材料有限公司
• 主分類號: C22F1/18
• 分類號: C22F1/18;C23C14/34;C23C14/14
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

1.一種高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，包括：

對高純鉭錠進行預熱；

對所述預熱的高純鉭錠進行至少兩次鍛造，在每次鍛造后均對高純鉭錠進行熱處理；

對最后一次熱處理后的高純鉭錠進行擠壓，形成鉭板料；

對所述鉭板料進行熱加工，形成鉭靶材坯料；

對所述鉭靶材坯料進行機械加工，形成鉭靶材。

2.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述預熱溫度為500℃～1000℃，保溫0h～0.5h。

3.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，對所述預熱的高純鉭錠進行兩次鍛造，在每次鍛造后均對高純鉭錠進行熱處理。

4.如權利要求3所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，

所述兩次鍛造及熱處理步驟包括：

對高純鉭錠進行第一次鍛造；

對第一次鍛造后的高純鉭錠進行第一次熱處理；

對第一次熱處理后的高純鉭錠進行和第二次鍛造；

對第二次鍛造后的高純鉭錠進行第二次熱處理。

5.如權利要求4所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第一次鍛造的溫度為，500℃～1000℃，鍛打時間為10min～20min。

6.如權利要求4所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第一次鍛造的變形率為50％～80％，形成第一鍛造體。

7.如權利要求4所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第一次熱處理溫度為1200℃～1400℃，持續時間為115min～125min。

8.如權利要求6所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，將所述第一次鍛造中間體翻轉90度，進行第二次鍛造。

9.如權利要求4所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第二次鍛造的溫度為500℃～1000℃，鍛造時間為10min～20min。

10.如權利要求4所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第二次鍛造的變形率為50％～80％。

11.如權利要求4所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第二次熱處理溫度為1100℃～1300℃，持續時間為115min～125min。

12.如權利要求1所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，對所述預熱的高純鉭錠進行三次鍛造，在每次鍛造后均對高純鉭錠進行熱處理。

13.如權利要求12所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述三次鍛造及熱處理步驟包括：

對高純鉭錠進行第一次鍛造；

對第一次鍛造后的高純鉭錠進行第一次熱處理；

對第一次熱處理后的高純鉭錠進行和第二次鍛造；

對第二次鍛造后的高純鉭錠進行第二次熱處理；

對第二次熱處理后的高純鉭錠進行和第三次鍛造；

對第三次鍛造后的高純鉭錠進行第三次熱處理。

14.如權利要求13所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第一次鍛造的溫度為500℃～1000℃，鍛打時間為10min～20min。

15.如權利要求13所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第一次鍛造的變形率為50％～80％，形成第一鍛造體。

16.如權利要求13所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第一次熱處理溫度為1200℃～1400℃，持續時間為115min～125min。

17.如權利要求15所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，將所述第一次鍛造中間體翻轉90度，進行第二次鍛造。

18.如權利要求13所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第二次鍛造的溫度為500℃～1000℃，鍛造時間為10min～20min。

19.如權利要求13所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第二次鍛造的變形率為50％～80％。

20.如權利要求13所述的高純鉭靶材的制備方法，其特征在于，所述第二次熱處理溫度為1100℃～1300℃，持續時間為115min～125min。