[發(fā)明專利]晶圓清洗方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110459405.8
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103182392A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 宋振偉;榮楠;廖勇;李芳;董飏
• 申請（專利權(quán)）人: 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司
• 主分類號: B08B11/00
• 分類號: B08B11/00;B08B3/02
• 代理公司: 北京集佳知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11227
• 代理人: 駱蘇華

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種晶圓清洗方法。

背景技術(shù)

在半導(dǎo)體的制造工藝中，通常涉及自對準(zhǔn)金屬硅化物的形成，目前鎳鉑合金(NiPt)已經(jīng)被廣泛用于形成自對準(zhǔn)金屬硅化物。通常形成自對準(zhǔn)硅化物的過程包括：提供晶圓，所述晶圓上形成有介質(zhì)層和未被介質(zhì)層覆蓋的硅；在所述介質(zhì)層上形成NiPt；進(jìn)行退火，使硅和所述NiPt反應(yīng)形成自對準(zhǔn)硅化物；去除未與硅反應(yīng)的NiPt。其中，在去除沒有和硅反應(yīng)的NiPt后，可能仍然存在未反應(yīng)的鎳鉑殘留在晶圓表面，這些鎳鉑殘留物是需要被清除。若這些鎳鉑殘留物不被去除干凈，將嚴(yán)重影響晶圓表面后續(xù)所形成的元器件的性能。

在傳統(tǒng)工藝中，上述鎳鉑殘留物是采用浸入式清洗方法去除的，即，將附有鎳鉑殘留物的晶圓浸入裝有清洗液的清洗槽，但是該清洗操作過程難以控制，比如在該清洗過程中，先浸入清洗液的晶圓部分也是最后離開清洗液的部分，這就造成了晶圓表面的浸泡時間不一致，從而造成晶圓表面被清洗程度的不均勻。

隨著晶圓清洗工藝的發(fā)展，目前，噴淋式的單片清洗機(jī)已經(jīng)被應(yīng)用在去除鎳鉑殘留物的工藝中。如公開號為CN1527364A的中國專利申請公開了一種采用噴淋式的單片清洗機(jī)的晶圓清洗方法。如圖1所示，圖1是噴淋式晶圓清洗機(jī)的結(jié)構(gòu)示意圖，所述噴淋式單片清洗機(jī)包括旋轉(zhuǎn)臺(圖中沒有顯示)和噴嘴2，所述旋轉(zhuǎn)臺用于放置晶圓1且?guī)泳A1轉(zhuǎn)動，所述噴嘴2被設(shè)置在晶圓1的上方，且可以在晶圓1表面移動，用于噴出清洗液對晶圓1進(jìn)行清洗。但是，上述方法沒有給出具體的清洗方案。

因此，需要一種新的晶圓清洗方法。

發(fā)明內(nèi)容

為解決上述問題，本發(fā)明實施例提供了一種晶圓清洗方法，能夠?qū)A表面進(jìn)行均勻清洗，更加有效地去除晶圓表面形成自對準(zhǔn)金屬硅化物后的鎳鉑殘留物，從而減少所述鎳鉑殘留物對晶圓表面所形成的元器件產(chǎn)生不良影響。

本發(fā)明實施例提供的所述晶圓清洗方法，包括：

提供晶圓清洗機(jī)，所述清洗機(jī)包含旋轉(zhuǎn)臺和噴嘴；

提供晶圓，將所述晶圓固定在所述旋轉(zhuǎn)臺上；

將所述噴嘴置于所述晶圓的上方并對準(zhǔn)晶圓的中心位置；

啟動旋轉(zhuǎn)臺，所述旋轉(zhuǎn)臺帶動所述晶圓旋轉(zhuǎn)；

使所述噴嘴噴出清洗液對所述晶圓的中心位置進(jìn)行清洗；

將所述噴嘴移至所述晶圓一側(cè)的邊緣位置，使所述噴嘴沿著直徑方向在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對的另一側(cè)邊緣之間來回移動，且所述噴嘴噴出清洗液對所述晶圓進(jìn)行清洗；

將所述噴嘴移至介于所述晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置，且所述噴嘴噴出清洗液對所述晶圓進(jìn)行清洗；以及

使所述旋轉(zhuǎn)臺停止旋轉(zhuǎn)。

可選地，所述晶圓上形成有金屬硅化物。

可選地，所述金屬硅化物為硅化鎳和硅化鉑。

可選地，所述清洗液為硫酸和雙氧水的混合溶液(SPM)。

可選地，所述清洗液的溫度為160～180℃。

可選地，所述SPM中，硫酸和雙氧水的體積比為(1.8～2.2)∶(0.8～1.2)。

可選地，所述清洗機(jī)旋轉(zhuǎn)臺的轉(zhuǎn)速為400～600rmp。

可選地，所述清洗機(jī)噴嘴在晶圓中心位置停留且噴出清洗液的總的時間為10s。

可選地，所述清洗機(jī)噴嘴在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對另一側(cè)邊緣之間來回移動且噴出清洗液的總的時間為36～44s。

可選地，所述噴嘴沿著直徑方向，在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對的另一側(cè)邊緣之間來回移動的速度為30～50毫米/秒。

可選地，所述清洗機(jī)噴嘴在介于晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置停留且噴出清洗液的總的時間為4～12s。

可選地，所述介于晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置位于一個環(huán)形區(qū)域內(nèi)。

可選地，所述環(huán)形區(qū)域的外圓周半徑為3/5晶圓半徑，內(nèi)圓周半徑為2/5晶圓半徑。

與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的實施例具有以下優(yōu)點：

首先，在本發(fā)明實施例所提供的晶圓清洗方法中，在清洗機(jī)噴嘴沿著直徑方向在晶圓的一側(cè)邊緣和其相對的另一側(cè)邊緣之間來回移動并噴出清洗液對晶圓進(jìn)行清洗之后，還將所述清洗機(jī)噴嘴移至介于晶圓圓心和晶圓邊緣之間的中間位置并噴出清洗液繼續(xù)對晶圓進(jìn)行清洗。徹底地清洗和去除在晶圓圓心和邊緣之間的位置出現(xiàn)的鎳鉑金屬殘留帶，使得晶圓表面的鎳鉑殘留物進(jìn)一步減少，甚至消除，從而減少所述鎳鉑殘留物對晶圓表面所形成的元器件產(chǎn)生不良影響。