[發明專利]液體處理裝置及液體處理方法有效
| 申請號: | 201110459283.2 | 申請日: | 2010-03-04 |
| 公開(公告)號: | CN102569133A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 高栁康治;木下尚文 | 申請(專利權)人: | 東京毅力科創株式會社 |
| 主分類號: | H01L21/67 | 分類號: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林達劉知識產權代理事務所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 劉新宇;張會華 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 液體 處理 裝置 方法 | ||
1.一種液體處理裝置,該液體處理裝置在形成有下降氣流的處理杯內一邊使保持于基板保持部的基板旋轉、一邊對該基板進行液體處理,并且,從處理杯的下部吸引排出該處理杯內部的氣氛氣體且排出液體,其特征在于,
該液體處理裝置包括:
噴嘴,其用于向保持于上述基板保持部的基板供給處理液;
下側引導部,其從與保持于上述基板保持部的基板的背面的周緣部接近且相對的位置起朝向外側下方傾斜延伸,且在基板的周向上形成為環狀;
上側引導部,其上端面位于與保持于上述基板保持部的基板的表面大致相同的高度,并且,在上側引導部與上述下側引導部之間形成用于將自基板飛散的處理液與氣流一同向下方引導的下側環狀流路,且該上側引導部以包圍基板的外側下方區域的方式與上述下側引導部相對地形成為環狀;
外側引導部,其以包圍該上側引導部且自該上側引導部的外方側跨至上方側的方式配置,為了整流基板旋轉時的氣流,在該外側引導部與該上側引導部之間形成上側環狀流路;
突出部,其為了使上述上側環狀流路在中途變狹窄而自外側引導部的下表面朝向上述上側引導部的上表面突出,且該突出部沿周向形成為環狀;
開口部,其形成于上述上側引導部的下緣部,用于將通過上述上側環狀流路后的氣流與通過上述下側環狀流路后的氣流合流。
2.一種液體處理裝置,該液體處理裝置在形成有下降氣流的處理杯內一邊使保持于基板保持部的基板旋轉、一邊對該基板進行液體處理,并且,從處理杯的下部吸引排出該處理杯內部的氣氛氣體且排出液體,其特征在于,
該液體處理裝置包括:
噴嘴,其用于向保持于上述基板保持部的基板供給處理液;
下側引導部,其從與保持于上述基板保持部的基板的背面的周緣部接近且相對的位置起朝向外側下方傾斜延伸,且在基板的周向上形成為環狀;
上側引導部,其上端面位于與保持于上述基板保持部的基板的表面大致相同的高度,并且,在上側引導部與上述下側引導部之間形成用于將自基板飛散的處理液與氣流一同向下方引導的下側環狀流路,且該上側引導部以包圍基板的外側下方區域的方式與上述下側引導部相對地形成為環狀;
外側引導部,其以包圍該上側引導部且自該上側引導部的外方側跨至上方側的方式配置,為了整流基板旋轉時的氣流,在該外側引導部與該上側引導部之間形成上側環狀流路;
開口部,其形成于上述上側引導部的下緣部,用于將通過上述上側環狀流路后的氣流與通過上述下側環狀流路后的氣流合流;
上述下側引導部的與上側引導部相對的縱截面形狀以向下方側鼓起的方式彎曲。
3.根據權利要求1或2所述的液體處理裝置,其特征在于,
上述噴嘴包括向基板的背面周緣的斜面部噴出作為處理液的清洗液的清洗噴嘴。
4.根據權利要求3所述的液體處理裝置,其特征在于,
上述液體處理裝置具有圓板部,該圓板部與上述下側引導部相連接,且在保持于上述基板保持部的基板的中心部側形成為環狀;
上述清洗噴嘴以能夠沿在上述圓板部上沿徑向伸長的軌道自由移動的方式設置。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





