[發明專利]半導體元件的組裝方法

有效

• 申請號: 201110458352.8
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN103187317A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 蔡孟佳
• 申請（專利權）人: 百容電子股份有限公司
• 主分類號: H01L21/50
• 分類號: H01L21/50;H01L21/68
• 代理公司: 北京泰吉知識產權代理有限公司 11355
• 代理人: 張雅軍

技術領域

本發明涉及一種半導體元件的組裝方法，特別是涉及一種表面黏著半導體元件的組裝方法。

背景技術

進行半導體元件的組裝作業時，由于晶粒的尺寸通常很小，而且大多采用自動化方式進行組裝，因此，與晶粒配合的組裝元件需要預先排列定位，以便于機械手臂的拿取與移送，作業時，通常會使配合晶粒使用的組裝元件預先排列并結合在一基材上提供使用。

現有的一種表面黏著半導體元件的組裝方法，包含下列步驟：

參閱圖1、圖2與圖4，步驟一是分別提供一片下基材11及一片上基材12，該下基材11具有一個下支撐體111，及多個排列并連接在該下支撐體111上的承載片112，該上基材片12具有一個開設形成多個開口120的上支撐體121，及多個容置在所述開口120中并分別與該上支撐體121一體連接的上蓋片122。

步驟二是在該下基材11的每個承載片112上涂上錫膏，并將待封裝的晶粒(die)13分別放置到每一承載片112上以使晶粒13通過錫膏與該承載片112黏合。

步驟三是在已黏合于該下基材11的承載片112的晶粒13的上表面分別點上錫膏。

參閱圖2、圖3與圖4，步驟四是利用一裁切裝置(圖未示)將所述上蓋片122與該上支撐體121連接處切斷，使所述上蓋片122與該上支撐體121分離。

步驟五是利用一自動吸取裝置分別吸附已經與該上支撐體121分離的上蓋片122，并將其分別移送及放置于已點上錫膏的晶粒13的上表面，以分別與所述晶粒13黏合，就獲得多個組裝完成的半導體元件10。

其中，組裝完成的半導體元件10通常還要再放入一焊錫爐中使錫膏熔融形成焊接結構，以使每一晶粒13與承載片112、上蓋片122形成穩固結合，以獲得結構穩定的表面黏著半導體元件10產品。

所述承載片112與所述上蓋片122是分別設置在該下支撐體111、上支撐體121中，其中，該下支撐體111與上支撐體121都屬于用于承載的基材，最終都會被切除廢棄，依上述現有的組裝方法，每制造一個表面黏著半導體元件產品，除了該下支撐體111最后會形成廢料外，該上支撐體121在制造過程切除所述上蓋片122后也形成廢料(如圖3所示)，導致生產過程中容易產生較多的廢料，此外，由于該下基材片11與上基材片12中真正屬于最終產品的部分只有承載片112與上蓋片122的部分，其他作為支撐材料的部分所占的比例太高，將導致原料成本相對增加，因此，現有的組裝方法具有原料成本相對較高，及容易產生較多工業廢棄物的缺點。

發明內容

本發明的目的在于提供一種能有效降低原料成本與廢料產生量的半導體元件的組裝方法。

本發明半導體元件的組裝方法，包含下列步驟：

一、提供至少一片基材，該基材包括一個界定形成多個相間隔的容置開口的支撐體、多個相間隔地排列在所述容置開口中且與該支撐體連接的承載片，及多個相間隔地排列且與該支撐體及該承載片的至少其中一者相連接的上蓋片；

二、將所述上蓋片與該基材的連接處切斷，以使所述上蓋片與該支撐體及所述承載片分離；

三、在該基材的每一承載片的一上表面涂上接著劑；

四、將多個已準備好的晶粒分別放置于所述承載片的上表面，使所述晶粒分別與所述承載片黏合；

五、在與所述承載片相結合的晶粒上分別涂上接著劑；及

六、將自基材切下的上蓋片分別放置于所述晶粒上并通過接著劑與所述晶粒相黏合，就完成組裝，并獲得多個結合在該支撐體上的半導體元件。

本發明的組裝方法，在步驟一中的每一個上蓋片各具有一個本體部，及至少一個自該本體部延伸而與該承載片與該支撐體的至少其中一者相連接的延伸臂部，且在步驟二中是將所述上蓋片的延伸臂部切斷。

本發明的組裝方法，在步驟一中，每一基材的承載片與上蓋片的數量相等。

本發明的組裝方法，在步驟一中，該基材的支撐體具有圍繞所述承載片與所述上蓋片相間隔設置的兩個第一邊框部，及兩個分別連接在所述第一邊框部的兩相反端之間的第二邊框部，每一個容置開口中的上蓋片與承載片沿一平行所述第一邊框部的基線方向間隔交錯排列，且位于其中一側的上蓋片設置在該承載片與其中一個第二邊框部之間。

本發明的組裝方法，在步驟一中，每一個上蓋片各具有兩個相間隔的延伸臂部，位于其中一側的上蓋片的兩個延伸臂部是分別連接于該承載片與該第二邊框部，其余的上蓋片的延伸臂部則分別連接于其兩側的承載片。

本發明的組裝方法，在步驟一中，所述上蓋片的延伸臂部的長度大于等于該基材的厚度。