[發明專利]一種多晶硅制備方法

有效

• 申請號: 201110457997.X
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN102557038A
• 公開（公告）日: 2012-07-11
• 發明（設計）人: 江宏富;鐘真武
• 申請（專利權）人: 江蘇中能硅業科技發展有限公司
• 主分類號: C01B33/035
• 分類號: C01B33/035
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種多晶硅的制備方法，其包括在還原爐反應器內，原料鹵代硅烷與高純氫氣在1050-1250℃高溫、0~0.8MPa條件下發生化學氣相沉積反應，并在發熱的硅芯表面沉積多晶硅使得硅棒不斷長大的步驟，其特征在于所述化學氣相沉積反應過程中，向還原爐內通入0.1mol%~20mol%鹵化氫氣體。

2.根據權利要求1所述的多晶硅制備方法，其特征在于，所述的鹵代硅烷包括氯代硅烷、溴代硅烷、碘代硅烷等，鹵代硅烷的通式為SiHnX4-n，其中n=0-3，X=Cl，Br，I。

3.根據權利要求2所述的多晶硅制備方法，其特征在于，所述的鹵代硅烷選自氯代硅烷，其中n=0-3，X=Cl。

4.根據權利要求3所述的多晶硅制備方法，其特征在于，所述的鹵代硅烷選自三氯氫硅。

5.根據權利要求1所述的多晶硅制備方法，其特征在于，所述的鹵化氫氣體選自氟化氫、氯化氫、溴化氫、碘化氫氣體，同時不引入其他雜質的氣體，進氣流量為1-5Nm³/h。

6.根據權利要求5所述的多晶硅制備方法，其特征在于，所述的鹵化氫氣體選自氯化氫，進氣流量為2Nm³/h。

7.根據權利要求1所述的多晶硅制備方法，其特征在于，反應10-25h生長期間，所述的鹵化氫氣體的通入量占原料氣鹵代硅烷的摩爾百分數為1-8%。

8.根據權利要求1所述的多晶硅制備方法，其特征在于，待反應25-60h，硅芯生長到直徑35-60mm左右，所述的鹵化氫氣體的通入量占原料氣鹵代硅烷的摩爾百分數為8-20%。

9.根據權利要求1所述的多晶硅制備方法，其特征在于，待反應60-80h，硅芯生長到直徑50-90mm左右，調小所述的鹵化氫氣體的通入量，使其占原料氣鹵代硅烷的摩爾百分數為10-15%，并在反應后期維持此比例不變直至反應器停爐。

10.根據權利要求1所述的多晶硅制備方法，其特征在于，所述的原料氣與鹵化氫氣體先進入各自的進氣管，再混合，進入還原爐反應器參與反應。

11.?根據權利要求1所述的多晶硅制備方法，其特征在于，所述的原料氣與鹵化氫氣體分別經各自的進氣管，獨立進入還原爐反應器參與反應。

12.一種多晶硅的制備方法，其包括在還原爐反應器內，原料鹵代硅烷與高純氫氣在1050-1250℃高溫、0~0.8MPa條件下發生化學氣相沉積反應，并在發熱的硅芯表面沉積多晶硅的步驟，其特征在于所述化學氣相沉積反應過程中，當還原爐反應器內出現霧化現象時，向還原爐內通入8mol%~20mol%的鹵化氫氣體，直至霧化現象消除，后降低鹵化氫氣體含量至1%-8%，并維持至反應結束。

13.根據權利要求12所述的多晶硅制備方法，其特征在于，當還原爐反應器內出現霧化現象時，向還原爐內通入10mol%~15mol%的鹵化氫氣體，直至霧化現象消除，后降低鹵化氫氣體含量至1%-8%，并維持至反應結束。