[發(fā)明專利]LED發(fā)光器件

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110457836.0
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN102593318A
• 公開（公告）日: 2012-07-18
• 發(fā)明（設計）人: 王震;黃曉華
• 申請（專利權）人: 上海陸離光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/38
• 代理公司: 上海精晟知識產(chǎn)權代理有限公司 31253
• 代理人: 何新平

技術領域

本發(fā)明涉及一種發(fā)光器件，更確切地說，是一種LED發(fā)光器件。

背景技術

LED是取自Light?Emitting?Diode三個字的縮寫，中文譯為“發(fā)光二極管”，顧名思義，發(fā)光二極管是一種可以將電能轉化為光能的電子器件具有二極管的特性。現(xiàn)有的大功率LED，采用貼片封裝，而大電流的沖擊經(jīng)常極容易導致整個LED報廢。

中國實用新型專利ZL201020137087.4公開了一種大電流驅動的垂直結構LED芯片，垂直結構LED芯片包括導電支持襯底、半導體外延層、焊盤絕緣層、電極絕緣層、打線焊盤、電極。其中，半導體外延層鍵合于導電支持襯底上；焊盤絕緣層和電極絕緣層形成在半導體外延層上；打線焊盤形成在焊盤絕緣層上；電極包括至少一個條形電極，條形電極是從一組電極中選出，該組電極包括，非有效條形電極、有效條形電極、混合條形電極；有效條形電極形成在半導體外延層上；非有效條形電極形成在電極絕緣層上而不直接與半導體外延層接觸；混合條形電極包括有效電極部分和非有效電極部分，有效電極部分形成在半導體外延層上，非有效電極部分形成在焊盤絕緣層和/或電極絕緣層上。這種LED采用多個條形電極來分流電流，對于沖擊電流的耐受力有限。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明主要是解決現(xiàn)有技術所存在的技術問題，從而提供一種抗大電流沖擊的LED發(fā)光器件。

本發(fā)明的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的：

一種LED發(fā)光器件，包含一LED芯片座和一位于所述的LED芯片座上方的保護罩，所述的保護罩包含一伸展部和一球形的散射部，所述的LED芯片座包含一襯底和位于所述的襯底的上方并覆蓋所述的襯底的貼片電極，所述的LED芯片座的中央設有一半導體發(fā)光基材部，所述的半導體發(fā)光基材部通過一跨接導線與所述的貼片電極相連接。

作為本發(fā)明的較佳的實施例，所述的貼片電極包含一突出的叉形部，所述的叉形部的末端設有一第一突出部，所述的半導體發(fā)光基材部設有一第二突出部，所述的跨接導線連接所述的第一突出部和第二突出部。

作為本發(fā)明的較佳的實施例，所述的跨接導線為扁平的金線。

作為本發(fā)明的較佳的實施例，所述的半導體發(fā)光基材部包含至少一個發(fā)光基材片段。

由于本發(fā)明的LED發(fā)光器件利用多個發(fā)光基材片段組成半導體發(fā)光基材部，同時，利用貼片電極上突出的叉形部和第一突出部、第二突出部，大大提高了整個LED的對大電流的耐受力。

附圖說明

為了更清楚地說明本發(fā)明實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案，下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本發(fā)明的LED發(fā)光器件的立體結構示意圖；

圖2為圖1中的LED發(fā)光器件的立體結構分解示意圖；

圖3為圖2中的LED發(fā)光器件的A區(qū)域的細節(jié)放大示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施例進行詳細闡述，以使本發(fā)明的優(yōu)點和特征能更易于被本領域技術人員理解，從而對本發(fā)明的保護范圍做出更為清楚明確的界定。

本發(fā)明提供了一種LED發(fā)光器件。

如圖1至圖3所示，一種LED發(fā)光器件1，包含一LED芯片座2和一位于該LED芯片座2上方的保護罩3，該保護罩3包含一伸展部31和一球形的散射部32，該LED芯片座2包含一襯底21和位于該襯底21的上方并覆蓋該襯底21的貼片電極22，該LED芯片座2的中央設有一半導體發(fā)光基材部23，該半導體發(fā)光基材部23通過一跨接導線223與該貼片電極22相連接。

該貼片電極22包含一突出的叉形部222，該叉形部222的末端設有一第一突出部224，該半導體發(fā)光基材部23設有一第二突出部225，該跨接導線223連接該第一突出部224和第二突出部225。

該跨接導線223為扁平的金線。

該半導體發(fā)光基材部23包含至少一個發(fā)光基材片段231。

該發(fā)明的LED發(fā)光器件利用多個發(fā)光基材片段組成半導體發(fā)光基材部，同時，利用貼片電極上突出的叉形部和第一突出部、第二突出部，大大提高了整個LED的對大電流的耐受力。

以上僅僅以一個實施方式來說明本發(fā)明的設計思路，在系統(tǒng)允許的情況下，本發(fā)明可以擴展為同時外接更多的功能模塊，從而最大限度擴展其功能。

以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何不經(jīng)過創(chuàng)造性勞動想到的變化或替換，都應涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應該以權利要求書所限定的保護范圍為準。