[發(fā)明專(zhuān)利]陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法及導(dǎo)電膠組成物有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110457758.4 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-31 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN103187490A | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 謝文圣;張維玲;邱瑞光 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 謝文圣;張維玲;邱瑞光 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L33/00 | 分類(lèi)號(hào): | H01L33/00;H01L33/62;H01B1/22 |
| 代理公司: | 廈門(mén)市新華專(zhuān)利商標(biāo)代理有限公司 35203 | 代理人: | 朱凌 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 陶瓷 凹陷 區(qū)域 導(dǎo)電 附著 加工 方法 組成 | ||
1.一種陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于,步驟包括有:
A、以包含有一第一平面及至少一凹陷區(qū)域的一陶瓷基板為工件,凹陷區(qū)域自該第一平面凹陷,且凹陷區(qū)域周緣包含有一較低的第二平面,及一連接于該第一平面與第二平面之間的銜接面;
B、以一涂布件作為附著加工的施工工具,該涂布件包含有在加工時(shí)移向該銜接面與第二平面的一供膠端,該供膠端在加工時(shí)具有對(duì)應(yīng)上述銜接面與第二平面的形狀;
C、由該供膠端供給一導(dǎo)電膠,使該導(dǎo)電膠附著于該銜接面與該第二平面的預(yù)設(shè)位置,形成一導(dǎo)電層。
2.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:導(dǎo)電膠成份包括有重量百分比介于55%至75%的金屬粉末,重量百分比介于20%至40%的膠狀基材,重量百分比介于1%至2%的分散劑,以及重量百分比介于4%至6%的玻璃。
3.如權(quán)利要求2所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:在步驟C中進(jìn)一步將該陶瓷基板進(jìn)行烘烤,使導(dǎo)電層固化。
4.如權(quán)利要求3所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:烘烤溫度介于100℃至1000℃之間,其中烘烤溫度介于100℃至300℃時(shí),導(dǎo)電膠的膠狀基材先氣化,當(dāng)烘烤溫度到達(dá)500℃至1000℃時(shí),導(dǎo)電膠中的玻璃熔融而附著于陶瓷基板。
5.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:在該陶瓷基板上加工成型導(dǎo)電層之前,預(yù)先在該第一平面上附著有一平面導(dǎo)電層,并使銜接面的導(dǎo)電層連接該平面導(dǎo)電層。
6.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:該供膠端在加工時(shí)進(jìn)一步包含有對(duì)應(yīng)該第一平面的形狀,藉以同步在該第一平面、銜接面與第二平面形成該導(dǎo)電層。
7.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:該涂布件內(nèi)部中空并置入該導(dǎo)電膠,該供膠端上則有多個(gè)噴孔連通該涂布件內(nèi)部,使該供膠端接近該陶瓷基板,在供膠端與該銜接面及第二平面之間相距一工作間隙,并透過(guò)一工作壓力將該導(dǎo)電膠由噴孔噴出附著于該陶瓷基板上。
8.如權(quán)利要求7所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:該工作間隙為0.2微米。
9.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:該涂布件的供膠端為軟質(zhì)可變形,預(yù)先在該供膠端沾黏導(dǎo)電膠,并將該供膠端接觸該陶瓷基板,利用壓印方式使該導(dǎo)電膠附著于陶瓷基板。
10.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:進(jìn)一步包括步驟D:將陶瓷基板電鍍處理,在導(dǎo)電層上鍍上一金屬層。
11.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:該銜接面為斜面。
12.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:該銜接面為內(nèi)凹的弧面。
13.如權(quán)利要求1所述的陶瓷基板凹陷區(qū)域的導(dǎo)電層附著加工方法,其特征在于:該銜接面為不規(guī)則表面。
14.一種導(dǎo)電膠組成物,其特征在于:包括有重量百分比介于55%至75%的金屬粉末,重量百分比介于20%至40%的膠狀基材,重量百分比介于1%至2%的分散劑,以及重量百分比介于4%至6%的玻璃。
15.如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電膠組成物,其特征在于:該金屬粉末為銀粉或銅粉。
16.如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電膠組成物,其特征在于:該膠狀基材為環(huán)氧樹(shù)脂或石蠟。
17.如權(quán)利要求14所述的導(dǎo)電膠組成物,其特征在于:該分散劑為亞麻油或甲基纖維酵素。
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H01L33-02 .以半導(dǎo)體為特征的
H01L33-36 .以電極為特征的
H01L33-44 .以涂層為特征的,例如鈍化層或防反射涂層
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H01L33-50 ..波長(zhǎng)轉(zhuǎn)換元件
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