[發明專利]一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置及其方法有效
| 申請號: | 201110457518.4 | 申請日: | 2011-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN102560437A | 公開(公告)日: | 2012-07-11 |
| 發明(設計)人: | 薄拯;岑可法;嚴建華;王智化;池涌 | 申請(專利權)人: | 浙江大學 |
| 主分類號: | C23C16/50 | 分類號: | C23C16/50;C23C16/26 |
| 代理公司: | 杭州求是專利事務所有限公司 33200 | 代理人: | 張法高 |
| 地址: | 310027 浙*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 快速 制備 范圍 垂直 取向 石墨 裝置 及其 方法 | ||
1.一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置,其特征是包括加熱爐(1)、多錐電極(2)、高壓負電電源(3)、石英管(4)、基底(5)、陶瓷絕緣體(6)和電動平移臺(7);多錐電極(2)、基底(5)和絕緣陶瓷體(6)布置在石英管(4)內,石英管(4)放置在加熱爐(1)內;基底(5)面對多錐電極(2)錐尖;基底(5)與電動平移臺(7)相連;基底(5)接地,多錐電極(2)與高壓負電電源(3)相連。
2.根據權利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置,其特征是:所述多錐電極(2)為兩套以上錐形電極陣列,相鄰錐形電極平行,之間采用陶瓷絕緣體6相隔,間距為1~10毫米。
3.根據權利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置,其特征是:所述多錐電極(2)中的單個錐形電極的錐度為1:3~1:20。
4.根據權利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置,其特征是:所述多錐電極(2)中的每個錐形電極均采用獨立的高壓負電電源3供電。
5.根據權利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置,其特征是:基底(5)與多錐電極(2)錐尖的間距為1~20毫米。
6.根據權利要求1所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的裝置,其特征是:所述基底材料為金、銀、銅、鋁、鐵、不銹鋼、硅和碳中一種或多種。
7.一種使用如權利要求1所述裝置的快速制備大范圍垂直取向石墨烯的方法,其特征是它的步驟如下:
1)打開加熱爐(1),在常壓氫氣和惰性氣體混合氣氛中將基底(5)加熱至600~900oC;
2)保持加熱爐(1)爐溫不變,打開高壓負電電源(3),調整供給電壓為1~6千伏,以基底(5)為陽極,以多錐電極(2)為陰極,在600~900oC常壓惰性氣體、碳氫化合物和水汽混合氣氛中產生等離子體并持續放電,放電電流為0.1~2毫安;
3)在放電過程中,保持加熱爐(1)爐溫不變,基底(5)在電動平移臺(7)的驅動下以0.01~1毫米/秒的速度平移,平移過程中,保持基底5和多錐電極2間距不變,放電時間為30秒~1小時;
4)放電結束后,保持加熱爐(1)爐溫不變,基底(5)在氫氣氣氛中還原;
5)還原結束后,關閉加熱爐(1),基底(5)在氫氣和惰性氣體氣氛中冷卻至室溫,并在基底(5)表面得到垂直取向石墨烯。
8.根據權利要求7所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的方法,其特征是:所述惰性氣體、碳氫化合物和水汽混合氣氛中,惰性氣體和碳氫化合物的體積百分比為0.01~100:1,水汽相對濕度為5~100%。
9.根據權利要求7所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的方法,其特征是:所述惰性氣體為氬氣或氦氣。
10.根據權利要求7所述的一種快速制備大范圍垂直取向石墨烯的方法,其特征是:所述碳氫化合物為甲烷、乙烷、乙烯和乙炔中的一種或多種。
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴散法,化學轉化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發法、濺射法、離子注入法或化學氣相沉積法的一般鍍覆
C23C16-00 通過氣態化合物分解且表面材料的反應產物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
C23C16-01 .在臨時基體上,例如在隨后通過浸蝕除去的基體上
C23C16-02 .待鍍材料的預處理
C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





