[發明專利]半導體器件的制造方法有效
| 申請號： | 201110457452.9 | 申請日： | 2011-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN103187265A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 符雅麗;王新鵬 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（上海）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/311 | 分類號： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 201203 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 半導體器件 制造 方法 | ||
1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括，
提供基底；
在所述基底上形成第一刻蝕阻擋層，所述第一刻蝕阻擋層的水平截面為環繞形狀，與后續形成的溝槽的底面形狀相適配；
在所述第一刻蝕阻擋層上形成層間介質層；
在所述層間介質層上形成圖案化的光阻層，所述圖案化的光阻層暴露出的層間介質層的外邊沿位于所述第一刻蝕阻擋層的正上方；
以所述圖案化的光阻層為掩膜刻蝕所述層間介質層，形成溝槽，所述溝槽的底面的外邊沿位于所述第一刻蝕阻擋層上。
2.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成第一刻蝕阻擋層的步驟和形成層間介質層的步驟之間，還包括：在所述第一刻蝕阻擋層和基底上覆蓋第二阻擋層。
3.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成第一刻蝕阻擋層的步驟之前，還包括：在所述基底上覆蓋第二阻擋層。
4.如權利要求1所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在所述基底上形成第一刻蝕阻擋層的步驟包括：
在所述基底上覆蓋刻蝕阻擋薄膜；
刻蝕部分厚度的刻蝕阻擋薄膜，形成第一刻蝕阻擋層及其下的第二阻擋層。
5.如權利要求2至4中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一刻蝕阻擋層的厚度為所述第二刻蝕阻擋層的厚度的50％～200％。
6.如權利要求2至4中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第二刻蝕阻擋層的材質為氮化硅或碳氮化硅。
7.如權利要求1至4中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，在形成溝槽的步驟之后，還包括在所述溝槽中形成超厚金屬層的步驟。
8.如權利要求1至4中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一刻蝕阻擋層的材質為氮化硅或碳氮化硅。
9.如權利要求1至4中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一刻蝕阻擋層的水平截面呈圓環形或“口”字形。
10.如權利要求1至4中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述第一刻蝕阻擋層的寬度為所述溝槽底面的寬度的5％～20％。
11.如權利要求1至4中任意一項所述的半導體器件的制造方法，其特征在于，所述基底為具有有源電路的半導體襯底或金屬互連層。
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H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
