[發明專利]一種純α碳化硅晶須的制備方法有效
| 申請號： | 201110455192.1 | 申請日： | 2011-12-21 |
| 公開（公告）號： | CN102534796A | 公開（公告）日： | 2012-07-04 |
| 發明（設計）人： | 楊建鋒;史永貴;劉虎林;戴培赟;劉波波;白宇;喬冠軍 | 申請（專利權）人： | 西安交通大學 |
| 主分類號： | C30B29/36 | 分類號： | C30B29/36;C30B29/62;C30B1/00 |
| 代理公司： | 西安智大知識產權代理事務所 61215 | 代理人： | 弋才富 |
| 地址： | 710048*** | 國省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 碳化硅 制備 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種純α碳化硅晶須的制備方法，其特征在于，包括以下工序：步驟一、將質量百分比為80～99.5％碳化硅與0.5～20％鐵粉均勻混合，或者將質量百分比為80～99.5％碳化硅與0.5～20％鎳粉均勻混合；
步驟二、將步驟一混合好的粉料裝入石墨坩堝內，裝入量小于坩堝深度的2/3；
步驟三、將裝有粉料的石墨坩堝裝入中頻感應燒結爐的圓柱筒狀碳纖維保溫層中，在坩堝頂部蓋上部蓋上由雙層碳纖維氈制成的石墨坩堝蓋，其中上層碳纖維氈上開有輻射孔。
步驟四、將中頻感應燒結爐抽真空至爐內壓力小于103Pa，充入氬氣至爐內壓力大于4×104Pa；
步驟五、將石墨坩堝加熱至2250～2600℃，碳纖維氈的輻射孔處的溫度為1900～2100℃，抽氣至氣壓在1×104～2×104Pa，保溫0.5～4h，使晶須在碳纖維氈的開孔處通過氣-液-固(VLS)機理進行形核生長；
步驟六、將氣壓充至0.6×105～1×105Pa，隨爐冷卻至室溫，打開爐蓋，在上層碳纖維氈的輻射孔處得到黃色、綠色或無色的碳化硅α-SiCw。
2.根據權利要求1所述的一種純α碳化硅晶須的制備方法，其特征在于，所述碳化硅的粒徑為60-240μm；所述鐵粉或鎳粉的粒徑為50-150μm。
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