[發(fā)明專利]一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110455052.4
• 申請(qǐng)日: 2011-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN102522383A
• 公開(kāi)（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱文輝;郭小偉;慕蔚;李習(xí)周
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/49
• 分類號(hào): H01L23/49;H01L23/495;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/50
• 代理公司: 甘肅省知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100
• 代理人: 鮮林

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明涉及電子信息自動(dòng)化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件，本發(fā)明還包括該封裝件的生產(chǎn)方法。

背景技術(shù)

長(zhǎng)期以來(lái)，受蝕刻模板及蝕刻工藝技術(shù)的限制，QFN產(chǎn)品一直延續(xù)著90年代開(kāi)發(fā)出來(lái)的單圈引線框架模式。QFN封裝經(jīng)過(guò)近幾年的發(fā)展，特別是2006年以來(lái)，市場(chǎng)需求增加，推動(dòng)了QFN封裝技術(shù)的快速發(fā)展，材料配套技術(shù)、制造工藝技術(shù)和封裝應(yīng)用技術(shù)都有了突破性的進(jìn)展，實(shí)現(xiàn)雙圈QFN產(chǎn)品成為可能。QFN(Quad?Flat?No?Lead?Package)?型雙圈排列封裝的集成電路封裝技術(shù)是近幾年國(guó)外發(fā)展起來(lái)的一種新型微小形高密度封裝技術(shù)，是最先進(jìn)的表面貼裝封裝技術(shù)之一。目前，普通四邊扁平無(wú)引腳封裝（QFN）單面封裝時(shí)引腳數(shù)少、焊線長(zhǎng)、造成焊線成本高。

發(fā)明內(nèi)容

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題是在已有的較為成熟的QFN集成電路封裝技術(shù)和單圈扁平的無(wú)引腳封裝技術(shù)的基礎(chǔ)上，吸取BGA用中心布線環(huán)設(shè)計(jì)制作特點(diǎn)，提供一種把中心布線環(huán)和雙圈排列凸點(diǎn)巧妙結(jié)合的中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件,?本發(fā)明的另一目的是提供一種上述封裝件的制備方法。

為解決上述技術(shù)問(wèn)題采用如下技術(shù)方案：

一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件，包括引線框架載體、框架引線內(nèi)引腳、IC芯片、鍵合線及塑封體，所述引線框架載體上粘接第一IC芯片，所述第一IC芯片上堆疊有第二IC芯片，所述第一IC芯片外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)，所述中心布線環(huán)的外部設(shè)有兩圈內(nèi)引腳，分別為第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳，所述兩圈內(nèi)引腳之間正面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第一凹坑,第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳底部腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第二凹坑，所述中心布線環(huán)上設(shè)有內(nèi)圈焊盤和外圈焊盤兩圈焊盤，所述內(nèi)圈焊盤分別與第一IC芯片和第二IC芯片的焊盤打線，所述外圈焊盤分別與第一內(nèi)引腳和第二內(nèi)引腳打線。

所述第一IC芯片與第二IC芯片打線連接形成第五鍵合線，所述第一IC芯片與中心布線環(huán)的內(nèi)圈焊盤打線連接形成第一鍵合線和第二鍵合線；所述第二IC芯片與中心布線環(huán)的內(nèi)圈焊盤打線連接形成第六鍵合線和第七鍵合線；所述外圈焊盤打線后拉弧在第一內(nèi)引腳上形成第三鍵合線和第八鍵合線，打線后拉弧在第二內(nèi)引腳上形成第四鍵合線和第九鍵合線。

所述中心布線環(huán)鑲嵌或粘貼在引線框架載體上，所述內(nèi)圈焊盤和外圈焊盤之間通過(guò)中心布線環(huán)相通。

所述一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件的制備工藝流程為減薄、劃片、上芯、壓焊、塑封、后固化、打印、分離引腳、電鍍、產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝，其中除壓焊、電鍍工序以外，其它工序均采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法，所述工藝過(guò)程為：

步驟1?減薄、劃片

采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法進(jìn)行；

步驟2?上芯

a、雙芯片堆疊一次上芯

當(dāng)?shù)谝籌C芯片的各邊長(zhǎng)度比第二IC芯片的各邊長(zhǎng)度大于1.2mm時(shí)，堆疊封裝的第一IC芯片和第二IC芯片采用一次分別上芯，一次烘烤；

b、雙芯片堆疊二次上芯

當(dāng)?shù)谝籌C芯片的各邊長(zhǎng)度比第二IC芯片的各邊長(zhǎng)度小于1.2mm時(shí)，堆疊封裝的第一IC芯片和第二IC芯片采用二次上芯分別烘烤；

所述步驟b雙芯片堆疊二次上芯，當(dāng)使用絕緣膠二次上芯時(shí)，在第一IC芯片正面先點(diǎn)上第二粘片膠絕緣膠，再將第二IC芯片吸附粘在第二粘片膠上面，粘完第二芯片后，將上芯好的半成品引線框架送烘烤，在150℃下烘烤3小時(shí)烤；

所述步驟b雙芯片堆疊二次上芯，當(dāng)使用膠膜片二次上芯時(shí)，使用具有膠膜片上芯功能的設(shè)備，劃片前在第二IC芯片的背面貼上膠膜片，先固定好第二IC芯片的晶圓，襯底加熱120℃～150℃，將帶膠膜片的第二IC芯片吸附，放在第一IC芯片正面，粘完第二IC芯片后，上芯的引線框架半成品在150℃下烘烤3小時(shí)。

步驟3壓焊

堆疊封裝二次上芯壓焊材料也是金線和銅線，第二IC芯片上的焊盤既與第一IC芯片進(jìn)行焊線，又與中心布線環(huán)的內(nèi)焊盤組間壓焊，中心布線環(huán)的外焊盤組既與第一內(nèi)引腳間打線，又與外圈第二內(nèi)引腳間打線，要選擇正打、反打，多種線弧形式，防止線與線間短路；

步驟4?塑封、后固化、打印

采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對(duì)壓焊后形成的器件進(jìn)行塑封、后固化、打印；

步驟5分離引腳

a?磨削法分離，將打印完的半成品框架底部先進(jìn)行腐蝕，引線框架背面腐蝕掉0.045mm～0.065mm，然后進(jìn)行磨削，拋光厚度為0.065mm～0.045mm；