[發(fā)明專利]一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件及其生產(chǎn)方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110455052.4
• 申請日: 2011-12-31
• 公開（公告）號: CN102522383A
• 公開（公告）日: 2012-06-27
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 朱文輝;郭小偉;慕蔚;李習(xí)周
• 申請（專利權(quán)）人: 天水華天科技股份有限公司;華天科技（西安）有限公司
• 主分類號: H01L23/49
• 分類號: H01L23/49;H01L23/495;H01L23/498;H01L21/48;H01L21/50
• 代理公司: 甘肅省知識產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100
• 代理人: 鮮林

1.一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件，包括引線框架載體、框架引線內(nèi)引腳、IC芯片、鍵合線及塑封體，其特征在于：所述引線框架載體（1）上粘接第一IC芯片（4），所述第一IC芯片（4）上堆疊有第二IC芯片（10），所述第一IC芯片（4）外側(cè)設(shè)有中心布線環(huán)（2），所述中心布線環(huán)（2）的外部設(shè)有兩圈內(nèi)引腳，分別為第一內(nèi)引腳（17）和第二內(nèi)引腳（19），所述兩圈內(nèi)引腳之間正面腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第一凹坑（18）,第一內(nèi)引腳（17）和第二內(nèi)引腳（19）底部腐蝕出深度為引線框架厚度的1/2的第二凹坑（27），所述中心布線環(huán)（2）上設(shè)有內(nèi)圈焊盤（22）和外圈焊盤（23）兩圈焊盤，所述內(nèi)圈焊盤（22）分別與第一IC芯片（4）和第二IC芯片（10）的焊盤打線，所述外圈焊盤（23）分別與第一內(nèi)引腳（17）和第二內(nèi)引腳（19）打線。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件，其特征在于：所述第一IC芯片（4）與第二IC芯片（10）打線連接形成第五鍵合線（11），所述第一IC芯片（4）與中心布線環(huán)（2）的內(nèi)圈焊盤（22）打線連接形成第一鍵合線（5）和第二鍵合線（6）；所述第二IC芯片（10）與中心布線環(huán)（2）的內(nèi)圈焊盤（22）打線連接形成第六鍵合線（12）和第七鍵合線（13）；所述外圈焊盤（23）打線后拉弧在第一內(nèi)引腳（17）上形成第三鍵合線（7）和第八鍵合線（14），打線后拉弧在第二內(nèi)引腳（19）上形成第四鍵合線（8）和第九鍵合線（15）。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件，其特征在于：所述中心布線環(huán)（2）鑲嵌或粘貼在引線框架載體（1）上，所述內(nèi)圈焊盤（22）和外圈焊盤（23）之間通過中心布線環(huán)（2）相通。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件的制備方法，工藝流程為減薄、劃片、上芯、壓焊、塑封、后固化、打印、分離引腳、電鍍、產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝、入庫，其中除壓焊、分離引腳、電鍍工序以外，其它工序均采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)工藝方法，其特征在于所述工藝過程為：

步驟1?減薄、劃片

采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法進(jìn)行；

步驟2?上芯

a、雙芯片堆疊一次上芯

當(dāng)?shù)谝籌C芯片（4）的各邊長度比第二IC芯片（10）的各邊長度大于1.2mm時(shí)，堆疊封裝的第一IC芯片（4）和第二IC芯片（10）采用一次分別上芯，一次烘烤；

b、雙芯片堆疊二次上芯

當(dāng)?shù)谝籌C芯片（4）的各邊長度比第二IC芯片（10）的各邊長度小于1.2mm時(shí)，堆疊封裝的第一IC芯片（4）和第二IC芯片（10）采用二次上芯分別烘烤；

步驟3壓焊

堆疊封裝二次上芯壓焊材料也是金線和銅線，第二IC芯片（10）上的焊盤既與第一IC芯片（4）進(jìn)行焊線，又與中心布線環(huán)（2）的內(nèi)焊盤組（22）間壓焊，中心布線環(huán)（2）的外焊盤組（23）既與第一內(nèi)引腳（17）間打線，又與外圈第二內(nèi)引腳（19）間打線，要選擇正打、反打，多種線弧形式，防止線與線間短路；

步驟4?塑封、后固化、打印

采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對壓焊后形成的器件進(jìn)行塑封、后固化、打印；

步驟5分離引腳

磨削法分離，將打印完的半成品框架底部先進(jìn)行腐蝕，引線框架背面腐蝕掉0.045mm～0.065mm，然后進(jìn)行磨削、拋光厚度為0.065mm～0.045mm；

步驟6電鍍

對磨削法分離引腳間連筋，采用化學(xué)鍍方法先電鍍一層8μm～10μm的銅，然后電鍍7μm～15μm的純錫；

步驟7產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝

采用相關(guān)封裝形式的常規(guī)方法對電鍍后形成的器件進(jìn)行產(chǎn)品分離、外觀檢驗(yàn)、包裝。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種中心布線雙圈排列IC芯片堆疊封裝件的制備方法，其特征在于所述步驟b雙芯片堆疊二次上芯，當(dāng)使用絕緣膠二次上芯時(shí)，在第一IC芯片（4）正面先點(diǎn)上第二粘片膠絕緣膠（9），再將第二IC芯片（10）吸附粘在第二粘片膠（9）上面，粘完第二IC芯片（10）后，將上芯好的半成品引線框架送烘烤，在150℃下烘烤3小時(shí)烤。