[發(fā)明專利]一種具有接地環(huán)的e/LQFP堆疊封裝件及其生產(chǎn)方法有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201110455043.5 | 申請(qǐng)日: | 2011-12-31 |
| 公開(公告)號(hào): | CN102522391A | 公開(公告)日: | 2012-06-27 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 李習(xí)周;慕蔚;郭小偉;李存滿 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 天水華天科技股份有限公司;華天科技(西安)有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L25/00 | 分類號(hào): | H01L25/00;H01L23/495;H01L23/31;H01L21/60;H01L21/56 |
| 代理公司: | 甘肅省知識(shí)產(chǎn)權(quán)事務(wù)中心 62100 | 代理人: | 李琪 |
| 地址: | 741000 甘*** | 國(guó)省代碼: | 甘肅;62 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 具有 接地 lqfp 堆疊 封裝 及其 生產(chǎn) 方法 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明屬于電子信息化元器件制造技術(shù)領(lǐng)域,涉及一種具有接地環(huán)的e/LQFP堆疊封裝件,本發(fā)明還涉及一種該堆疊封裝件的生產(chǎn)方法。
背景技術(shù)
80年代開始,電子產(chǎn)品向多功能和輕薄短小方向發(fā)展,對(duì)封裝技術(shù)提出了高速化、高密度化的要求,因而開發(fā)了SMT封裝,SMT封裝的代表形式有:PLCC、SOP、SOJ、TSOP、TSSOP、PQFP、QFJ、LQFP、TQFP等。
LQFP(LOW-Profile?Quad?package)是封裝高度為1.4mm的方型扁平式封裝技術(shù)(QFP),適于高密度細(xì)間距的薄型產(chǎn)品封裝,屬于中端產(chǎn)品封裝技術(shù),常用于CP封裝,操作方便,可靠性高,其外形尺寸較小,寄生參數(shù)小,適應(yīng)于高頻,并且由于其封裝密度高,與BGA同引腳封裝相比,封裝成本低,設(shè)備投入低(只需切筋、成形系統(tǒng),不需要高投入的植球機(jī)、回流焊爐和清洗機(jī)),市場(chǎng)占有率大。
常規(guī)eLQFP(exposed-Pad??Low-Profile?Quad?package,載體外露的方型扁平式封裝技術(shù))的基島(Pad)一般比較大,當(dāng)有打地線時(shí),一般都在基島上打地線,芯片尺寸較大時(shí),受粘接材料(導(dǎo)電膠或絕緣膠)溢出的影響,打線不粘;芯片較小時(shí),芯片面積與載體面積比小(小于40%),由于銀與塑封體粘接差,因此載體上易出現(xiàn)離層。
發(fā)明內(nèi)容
為了克服上述現(xiàn)有技術(shù)中存在的問(wèn)題,本發(fā)明的目的是提供一種具有接地環(huán)的eLQFP堆疊封裝件,解決了現(xiàn)有eLQFP封裝件存在的芯片較大打線不粘和芯片較小時(shí)載體鍍銀區(qū)易出現(xiàn)掃描離層的問(wèn)題。
本發(fā)明的另一目的是提供一種上述堆疊封裝件的生產(chǎn)方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明所采用的技術(shù)方案是,一種具有接地環(huán)的e/LQFP堆疊封裝件,包括載體,載體上粘貼有第一IC芯片,第一IC芯片上粘貼有第二IC芯片,兩塊IC芯片通過(guò)鍵合線與內(nèi)引腳相連接,內(nèi)引腳與外引腳相連接,該堆疊封裝件還包括環(huán)形的接地環(huán),載體通過(guò)筋板與接地環(huán)相連接;接地環(huán)下端面的位置高于載體上端面的位置;載體下端面設(shè)置有防溢料環(huán),接地環(huán)、鍵合線、筋板和內(nèi)引腳封裝于塑封體內(nèi);載體的下端面封裝于塑封體內(nèi),或者載體的下端面位于塑封體外。
載體為長(zhǎng)方體,接地環(huán)為長(zhǎng)方體環(huán),載體和接地環(huán)構(gòu)成引線框架;載體的四個(gè)側(cè)壁上均設(shè)置有多個(gè)凸臺(tái),相鄰兩凸臺(tái)之間設(shè)置有凹坑,凸臺(tái)與接地環(huán)不接觸,載體長(zhǎng)邊與相對(duì)的接地環(huán)長(zhǎng)邊之間通過(guò)兩根連筋相連接,載體短邊與相對(duì)的接地環(huán)短邊之間通過(guò)一根連筋相連接;載體的四個(gè)角分別通過(guò)邊筋與接地環(huán)的四個(gè)角相連,接地環(huán)的四個(gè)角上分別設(shè)置有鎖定孔。
或者,載體為正方體,接地環(huán)為正方體環(huán),載體和接地環(huán)構(gòu)成引線框架;載體邊緣陡直,載體和接地環(huán)相對(duì)的邊之間通過(guò)兩根連筋相連接,載體的四個(gè)角分別通過(guò)邊筋與接地環(huán)的四個(gè)角相連。
本發(fā)明所采用的另一技術(shù)方案是,一種上述堆疊封裝件的生產(chǎn)方法,具體按以下步驟進(jìn)行:
步驟1:晶圓減薄
用現(xiàn)有工藝方法對(duì)晶圓進(jìn)行減薄,得到最終減薄厚度為150μm~200μm的減薄晶圓;減薄時(shí)采用防止芯片翹曲工藝;
步驟2:劃片
對(duì)減薄后的晶圓進(jìn)行劃片,并采用防碎片、防裂紋劃片工藝軟件控制技術(shù);
步驟3:上芯壓焊
取載體和接地環(huán)構(gòu)成帶接地環(huán)的引線框架,接地環(huán)下端面的位置高于載體上端面的位置,載體通過(guò)筋板與接地環(huán)相連接;
當(dāng)?shù)谝籌C芯片邊長(zhǎng)與第二IC芯片邊長(zhǎng)之差大于等于1.2mm時(shí),采用兩次上芯,一次烘烤:
1)第一次上芯時(shí),在載體上粘接第一IC芯片,粘完一條引線框架送至收料盒;依同樣方法粘完本批全部第一IC芯片后,將半成品傳遞盒送回粘片機(jī)上料臺(tái);
2)第二次上芯
若采用絕緣膠粘貼第二IC芯片,在第一IC芯片上點(diǎn)上絕緣膠,將第二IC芯片粘貼在第一IC芯片上,粘完一條傳遞到傳遞盒,依同樣方法粘完本批全部第二IC芯片后送烘烤,在175℃下,采用防離層烘烤工藝烘烤3小時(shí),使用的烘箱同普通LQFP產(chǎn)品烘烤;
若采用膠膜片粘貼第二IC芯片,則將貼有膠膜片的第二IC芯片放置到第一IC芯片上進(jìn)行粘貼,依同樣方法粘完本條半成品框架上的所有第二IC芯片,收到收料傳遞盒中;粘完本批全部第二IC芯片后,將半成品框架的傳遞盒送烘烤,烘烤時(shí)采用防離層烘烤工藝,使用ESPEC烘箱,在150℃的溫度下,烘烤3小時(shí);
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L25-00 由多個(gè)單個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)器件組成的組裝件
H01L25-03 .所有包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中同一小組內(nèi)的相同類型的器件,例如整流二極管的組裝件
H01L25-16 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)不同大組內(nèi)的類型的器件,例如構(gòu)成混合電路的
H01L25-18 .包含在H01L 27/00至H01L 51/00各組中兩個(gè)或多個(gè)同一大組的不同小組內(nèi)的類型的器件
H01L25-04 ..不具有單獨(dú)容器的器件
H01L25-10 ..具有單獨(dú)容器的器件





