[發明專利]半導體發光器件及制造該半導體發光器件的方法

有效

• 申請號: 201110454286.7
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN102956786A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 鄭太逸;金英采;金善萬;韓睿志;樸清勛;崔炳均;姜世恩
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;呂俊剛

技術領域

本發明涉及一種半導體器件，更具體地，涉及一種半導體發光器件。

背景技術

通常，半導體發光器件具有發光區，該發光區包含紫外光區、藍光區和綠光區。具體地，基于GaN的半導體發光器件可以用于藍/綠發光二極管(LED)的光學器件，和具有高速開關和高輸出功率性能的電子器件(諸如金屬半導體場效應晶體管(MESFET)、異質結場效應晶體管(HEMT)等)。

圖1是例示這種通常的半導體發光器件的結構的立體圖。

如圖1所示，半導體發光器件100包括基板110、緩沖層120、未摻雜的半導體層130、N型半導體層140、有源層150、P型半導體層160、透明電極層170、形成在透明電極層170上的P型電極180、以及形成在通過部分地蝕刻有源層150和P型半導體層160而暴露的N型半導體層140上的N型電極190。雖然在圖1中有源層150和P型半導體層160被部分地蝕刻，但是N型半導體層的一部分(上部)可以被額外地蝕刻。

在前述半導體發光器件100中，通常使用銦錫氧化物(ITO)形成透明電極層170，以期望在驅動發光器件100時將電流注入到發光器件100中而沒有電流擁擠(current?crowding)。

然而，出現下述問題：ITO很昂貴并且包含銦，銦是一種稀有金屬，因而以后可能被耗盡。

此外，如果使用ITO形成透明電極層170，則由于ITO的透光率大于90％，因此光可能由于通過包含在發光器件封裝中的磷或其它材料散射而重新進入發光器件，由此可能損失光。因此，出現下述問題：光效率在半導體發光器件封裝中可能惡化。

發明內容

因此，本發明針對一種半導體發光器件及制造該半導體發光器件的方法，其基本上消除了由于現有技術的限制和缺點而導致的一個或多個問題。

本發明的一個優點在于提供一種半導體發光器件及制造該半導體發光器件的方法，其中，該半導體發光器件包括使用導電薄膜和絕緣薄膜形成的光透射電極層來代替透明電極層。

本發明的另一個優點在于提供一種半導體發光器件及制造該半導體發光器件的方法，其中，能夠增加金屬電極與構成光透射電極層的導電薄膜之間的接觸面積，以減少光透射電極層與金屬電極之間的接觸電阻，并且改善電流注入效率。

本發明的又一個優點在于提供一種半導體發光器件及制造該半導體發光器件的方法，其中，構成光透射電極層的導電薄膜的特性變化能夠被最小化。

本發明的額外的優點和特征部分將在如下說明書中闡述，并且基于如下分析對于本領域技術人員來說部分將是顯而易見的或者可以從本發明的實踐中獲知。本發明的目的和其它優點可以通過在書面說明書及其權利要求書以及附圖中具體指出的結構來實現并且獲得。

為了實現這些目的和其它優點并且根據本發明的目的，如在此具體實施且廣泛描述的，根據本發明的一個方面的半導體發光器件包括：基板；第一半導體層，該第一半導體層形成在所述基板上；有源層，該有源層形成在所述第一半導體層上；第二半導體層，該第二半導體層形成在所述有源層上；光透射電極層，該光透射電極層形成在所述第二半導體層上，所述光透射電極層具有沉積了至少一個導電薄膜和至少一個絕緣薄膜的結構；以及第一電極，該第一電極形成在所述光透射電極層上，其中所述光透射電極層包括至少一個接觸部分，以使所述至少一個導電薄膜與所述第一電極接觸。

在本發明的另一個方面，一種制造半導體發光器件的方法，該方法包括下述步驟：在基板上形成第一半導體層；在所述第一半導體層上形成有源層；在所述有源層上形成第二半導體層；部分地蝕刻所述有源層和所述第二半導體層，直到暴露出所述第一半導體層為止；對上面形成有所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層的所述基板進行加熱；以及在所述第二半導體層上形成光透射電極層，所述光透射電極層包括至少一個導電薄膜和至少一個絕緣薄膜。

應當理解，本發明的前述概括描述和下述詳細描述是示例性的和解釋性的，并且旨在提供對所要求保護的本發明的進一步解釋。

附圖說明

附圖被包括以提供對本發明的進一步理解，并且被并入本申請且構成本申請的一部分，附圖例示了本發明的(多個)實施方式，并且與說明書一起用于解釋本發明的原理。在附圖中：

圖1是例示根據現有技術的半導體發光器件的結構的立體圖；

圖2是例示根據本發明的一個實施方式的半導體發光器件的結構的立體圖；

圖3是例示基于第一導電薄膜的厚度改變的透射率的變化的曲線圖；