[發明專利]半導體發光器件及制造該半導體發光器件的方法

有效

• 申請號: 201110454286.7
• 申請日: 2011-12-30
• 公開（公告）號: CN102956786A
• 公開（公告）日: 2013-03-06
• 發明（設計）人: 鄭太逸;金英采;金善萬;韓睿志;樸清勛;崔炳均;姜世恩
• 申請（專利權）人: 樂金顯示有限公司
• 主分類號: H01L33/42
• 分類號: H01L33/42;H01L33/00
• 代理公司: 北京三友知識產權代理有限公司 11127
• 代理人: 李輝;呂俊剛

1.一種半導體發光器件，該半導體發光器件包括：

基板；

第一半導體層，該第一半導體層形成在所述基板上；

有源層，該有源層形成在所述第一半導體層上；

第二半導體層，該第二半導體層形成在所述有源層上；

光透射電極層，該光透射電極層形成在所述第二半導體層上，所述光透射電極層具有沉積有至少一個導電薄膜和至少一個絕緣薄膜的結構；以及

第一電極，該第一電極形成在所述光透射電極層上，

其中，所述光透射電極層包括至少一個接觸部分，以使所述至少一個導電薄膜與所述第一電極接觸。

2.如權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述第一電極形成在所述光透射電極層上，以覆蓋所述至少一個接觸部分。

3.如權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述光透射電極層包括：

第一導電薄膜，該第一導電薄膜形成在所述第二半導體層上；

第一絕緣薄膜，該第一絕緣薄膜形成在所述第一導電薄膜上；

第二導電薄膜，該第二導電薄膜形成在所述第一絕緣薄膜上；以及

第二絕緣薄膜，該第二絕緣薄膜形成在所述第二導電薄膜上。

4.如權利要求3所述的半導體發光器件，該半導體發光器件還包括緩沖層，該緩沖層形成在所述第二半導體層與所述光透射電極層之間。

5.如權利要求4所述的半導體發光器件，其中，通過部分地蝕刻所述第一導電薄膜、所述第一絕緣薄膜、所述第二導電薄膜和所述第二絕緣薄膜，直到暴露出所述第二半導體層為止，來形成所述至少一個接觸部分。

6.如權利要求4所述的半導體發光器件，其中，通過部分地蝕刻所述第一絕緣薄膜、所述第二導電薄膜和所述第二絕緣薄膜，直到暴露出所述第一導電薄膜為止，來形成所述至少一個接觸部分。

7.如權利要求3所述的半導體發光器件，其中，通過部分地蝕刻所述第一導電薄膜、所述第一絕緣薄膜、所述第二導電薄膜和所述第二絕緣薄膜，直到暴露出所述第二半導體層為止，來形成所述至少一個接觸部分。

8.如權利要求3所述的半導體發光器件，其中，通過部分地蝕刻所述第一絕緣薄膜、所述第二導電薄膜和所述第二絕緣薄膜，直到暴露出所述第一導電薄膜為止，來形成所述至少一個接觸部分。

9.如權利要求1所述的半導體發光器件，其中，所述至少一個導電薄膜由Ag形成，并且所述至少一個絕緣薄膜由ZnS形成。

10.如權利要求1所述的半導體發光器件，該半導體發光器件還包括第二電極，該第二電極形成在上面沒有形成所述有源層和所述第二半導體層的所述第一半導體層上。

11.一種制造半導體發光器件的方法，該方法包括下述步驟：

在基板上形成第一半導體層；

在所述第一半導體層上形成有源層；

在所述有源層上形成第二半導體層；

部分地蝕刻所述有源層和所述第二半導體層，直到暴露出所述第一半導體層為止；

對上面形成有所述第一半導體層、所述有源層和所述第二半導體層的所述基板進行加熱；以及

在所述第二半導體層上形成光透射電極層，所述光透射電極層包括至少一個導電薄膜和至少一個絕緣薄膜。

12.如權利要求11所述的方法，其中，形成所述光透射電極層的步驟包括：

在所述第二半導體層上形成第一導電薄膜；

在所述第一導電薄膜上形成第一絕緣薄膜；

在所述第一絕緣薄膜上形成第二導電薄膜；

在所述第二導電薄膜上形成第二絕緣薄膜；以及

通過部分地蝕刻所述第一導電薄膜、所述第一絕緣薄膜、所述第二導電薄膜和所述第二絕緣薄膜，直到暴露出所述第二半導體層為止，來形成一個或多個接觸部分。

13.如權利要求12所述的方法，該方法還包括下述步驟：

形成第一電極，所述第一電極通過所述一個或多個接觸部分與所述第一導電薄膜和所述第二導電薄膜接觸；以及

形成第二電極，所述第二電極位于上面沒有形成所述有源層和所述第二半導體層的所述第一半導體層上。