[發明專利]降低微負載效應的方法

無效

• 申請號: 201110452526.X
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN102810470A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 李秀春;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

技術領域

本發明涉及一種降低微負載效應的方法，特別是涉及一種在干蝕刻工藝中降低微負載效應的方法。

背景技術

集成電路是經由許多工藝步驟，例如，沉積、氧化、蝕刻等而形成，一般而言，在蝕刻之前，包含了利用曝光和光刻工藝，形成一圖案化掩膜層在基底上，然后基底上曝露出來的部分，則利用蝕刻劑將其去除。

一個理想的蝕刻工藝必須將掩膜層上的圖案精確的轉印至掩膜層下方的材料層上，并且蝕刻必須停止在一預定的深度。然而蝕刻工藝是利用化學或物理方式將目標材料層移除，因此蝕刻結果會被許多環境參數所影響，其中微負載效應是蝕刻過程難以控制的參數之一。

通常要被蝕刻的基底，其上會有許多已定義好的不同區域，這些區域中分別會有較高密度圖案掩膜和較低密度圖案掩膜分布在基底上，當利用化學或是物理性蝕刻時，基底被蝕刻速率會隨著這些較高密度圖案掩膜和較低密度圖案掩膜而變化。由于微負載效應，被較高密度圖案掩膜和較低密度圖案掩膜所覆蓋的基底，在蝕刻后分別會有不同的深度。

發明內容

有鑒于此，本發明提供一種解決或消除微負載效應的方法，以使得高密度區和低密度區的深度平均。

根據本發明的一優選實施例，其揭示了一種降低微負載效應的方法，包含：首先，提供一基底，其中基底劃分為一高密度區和一低密度區，形成一高密度圖案在高密度區內并且形成一低密度圖案在低密度區內，然后形成一光刻層覆蓋低密度區，最后以高密度圖案與低密度圖案為掩膜，蝕刻基底與光刻層。

為讓本發明的上述目的、特征及優點能更明顯易懂，下文特舉優選實施方式，并配合所附圖式，作詳細說明如下。然而如下的優選實施方式與圖式僅供參考與說明用，并非用來對本發明加以限制。

附圖說明

圖1至圖6為根據本發明的一優選實施例所繪示的一降低微負載效應的方法的示意圖。

其中，附圖標記說明如下：

10????基底????????12????????屏蔽層

14????第一材料層??16????????第二材料層

18????圖案化光阻??20????????第一凹洞

22????第二凹洞????24????????光阻層

具體實施方式

雖然本發明以實施例揭露如下，然其并非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明的精神和范圍內，當可作些許的更動與潤飾，因此本發明的保護范圍當以后附的權利要求所界定者為準，且為了不致使本發明的精神晦澀難懂，一些公知結構與工藝步驟的細節將不再于此揭露。

同樣地，圖示所表示為實施例中的裝置示意圖但并非用以限定裝置的尺寸，特別是，為使本發明可更清晰地呈現，部分組件的尺寸是可能放大呈現在圖中。再者，多個實施例中所揭示相同的組件者，將標示相同或相似的符號以使說明更容易且清晰。

圖1至圖6為根據本發明的一優選實施例所繪示的一降低微負載效應的方法的示意圖。

如圖1所示，首先提供一基底10，基底10被劃分為一高密度區A1和一低密度區A2，接著，形成一掩膜層12覆蓋基底10，掩膜層12包含一第一材料層14和一第二材料層16，詳細來說，第一材料層14和第二材料層16是由下至上覆蓋基底10，此外，第一材料層14和第二材料層16是利用相異材料形成，可以用來形成第一材料層14或第二材料層16的材料包含氮化硅、氧化硅、硅或是其它適合的材料。然后，形成一圖案化光刻層18于第二材料層16上。

如圖2所示，利用圖案化光刻層18為掩膜，蝕刻掩膜層12以將圖案化光刻層18的圖案轉印到掩膜層12，之后移除圖案化光刻層18，在蝕刻掩膜層12之后，此時蝕刻后的掩膜層12形成一高密度圖案P1位在基底10的高密度區A1，并且蝕刻后的掩膜層12和部分的基底10，共同形成一低密度圖案P2位在基底10的低密度區A2，高密度圖案P1定義出多個第一凹洞20，并且各個相鄰的第一凹洞20之間有一第一間隔S1，另外，各個第一凹洞20具有一第一深度D1。低密度圖案P2定義出多個第二凹洞22，并且兩相鄰的第二凹洞22之間有一第二間隔S2，另外，各個第二凹洞22具有一第二深度D2，其中第二間隔S2會較第一間隔S1大，根據本發明的優選實施例，第二間隔S2大于兩倍的第一間隔S1。