[發明專利]降低微負載效應的方法

無效

• 申請號: 201110452526.X
• 申請日: 2011-12-23
• 公開（公告）號: CN102810470A
• 公開（公告）日: 2012-12-05
• 發明（設計）人: 李秀春;陳逸男;劉獻文
• 申請（專利權）人: 南亞科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/308
• 分類號: H01L21/308
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種降低微負載效應的方法，其特征在于，包含：

提供一基底，其中所述基底劃分為一高密度區和一低密度區；

形成一高密度圖案在所述高密度區內并且形成一低密度圖案在所述低密度區內；

形成一光刻層覆蓋所述低密度區；以及

以所述高密度圖案與所述低密度圖案為屏蔽，蝕刻所述基底與所述光刻層。

2.根據權利要求1所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述高密度圖案和所述低密度圖案的形成方法包含：

形成一掩膜層在所述基底上；以及

蝕刻所述掩膜層以形成所述高密度圖案與所述低密度圖案。

3.根據權利要求2所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述掩膜層包含一第一材料層和一第二材料層覆蓋所述第一材料層。

4.根據權利要求3所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述第一材料層和所述第二材料層使用相異的材料制作。

5.根據權利要求2所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，當蝕刻所述掩膜層時，部分位在所述低密度區的所述基底也被蝕刻。

6.根據權利要求5所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，位在所述低密度區的所述基底的上表面低于位在所述高密度區的所述基底的上表面。

7.根據權利要求1所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述高密度圖案定義出多個第一凹洞，并且一第一間隔位在兩相鄰的所述第一凹洞之間。

8.根據權利要求7所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述低密度圖案定義出多個第二凹洞，并且一第二間隔位在兩相鄰的所述第二凹洞之間。

9.根據權利要求8所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述第二間隔大于所述第一間隔。

10.根據權利要求9所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述第二間隔大于兩倍的所述第一間隔。

11.根據權利要求9所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述光刻層填入所述第二凹洞。

12.根據權利要求8所述的降低微負載效應的方法，其特征在于，所述第二凹洞較所述第一凹洞深。