[發(fā)明專利]半導(dǎo)體器件的制作方法

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201110451716.X
• 申請(qǐng)日: 2011-12-29
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN103187279A
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 吳孝嘉;房世林;羅澤煌;陳正培;章舒;何延強(qiáng)
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 無(wú)錫華潤(rùn)上華半導(dǎo)體有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/336
• 分類號(hào): H01L21/336
• 代理公司: 北京市磐華律師事務(wù)所 11336
• 代理人: 顧珊;汪洋

1.一種半導(dǎo)體器件的制作方法，包括：

提供半導(dǎo)體襯底，所述半導(dǎo)體襯底包括LDMOS區(qū)和CMOS區(qū)；

在所述半導(dǎo)體襯底上形成犧牲氧化層；

去除所述犧牲氧化層；

在經(jīng)過(guò)犧牲氧化處理的所述半導(dǎo)體襯底上形成掩蔽層；

利用所述掩蔽層作為掩膜，形成所述LDMOS的漂移區(qū)，然后在所述漂移區(qū)上方形成漂移區(qū)氧化層；

去除所述掩蔽層。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，在所述去除掩蔽層的步驟之后，還包括：在經(jīng)過(guò)犧牲氧化處理的所述半導(dǎo)體襯底上，形成所述CMOS的柵氧和柵極。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽層的厚度為250-400埃。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽層包括掩蔽氮化硅層和掩蔽氧化層，所述掩蔽氮化硅層位于所述掩蔽氧化層上方。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽氮化硅層的厚度為200-350埃，所述掩蔽氧化層的厚度為50-100埃。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽氮化硅層是在溫度600-800度下熱氧化生長(zhǎng)形成的。

7.根據(jù)權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述掩蔽氧化層是在溫度800-1000度下熱氧化生長(zhǎng)形成的。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，所述犧牲氧化層的去除的厚度大于所述犧牲氧化層的形成的厚度。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，

所述犧牲氧化層形成的厚度為200-400埃，所述犧牲氧化層的去除的厚度為300-600埃。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件的制作方法，其特征在于，

所述漂移區(qū)氧化層的厚度為500-1000埃。