[發(fā)明專利]太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110450096.8 | 申請日: | 2011-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN103187456A | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 金元浩;李群慶;范守善 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種太陽能電池,尤其涉及硅太陽能電池。
背景技術(shù)
太陽能電池是利用半導(dǎo)體材料的光生伏特原理制成的。根據(jù)半導(dǎo)體光電轉(zhuǎn)換材料種類不同,太陽能電池可以分為硅基太陽能電池(請參見太陽能電池及多晶硅的生產(chǎn),材料與冶金學(xué)報,張明杰等,vol6,p33-38?(2007))、砷化鎵太陽能電池、有機(jī)薄膜太陽能電池等。
目前,太陽能電池以硅基太陽能電池為主。請參閱圖1,現(xiàn)有技術(shù)中的硅基太陽能電池10包括:一背電極12、一P型硅層14、一N型硅層16和一上電極18。所述P型硅層14采用多晶硅或單晶硅制成,具有第一表面142以及與該第一表面142相對設(shè)置的第二表面144,該第二表面144為一平面結(jié)構(gòu)。所述背電極12設(shè)置于所述P型硅層14的第一表面142,且與該P(yáng)型硅層14的第一表面142歐姆接觸。所述N型硅層16形成于所述P型硅層14的第二表面144,作為光電轉(zhuǎn)換的材料。該N型硅層16的表面為一平整的平面結(jié)構(gòu)。所述上電極18設(shè)置于所述N型硅層16的表面。所述太陽能電池10中P型硅層14和N型硅層16形成P-N結(jié)區(qū)。當(dāng)該太陽能電池10在工作時,光從上電極18一側(cè)直接入射至所述上電極18,并經(jīng)過所述上電極18和所述N型硅層16到達(dá)所述P-N結(jié)區(qū),所述P-N結(jié)區(qū)在光子激發(fā)下產(chǎn)生多個電子-空穴對(載流子),所述電子-空穴對在靜電勢能作用下分離并分別向所述背電極12和上電極18移動。如果在所述太陽能電池10的背電極12與上電極18兩端接上負(fù)載,就會有電流通過外電路中的負(fù)載。
然而,上述結(jié)構(gòu)中所述光子需要通過所述上電極18和所述N型硅層16之后才到達(dá)所述P-N結(jié)區(qū),使得一部分入射光線被所述上電極18和N型硅層16吸收,使所述P-N結(jié)區(qū)對光的吸收率較低,進(jìn)而減少了P-N結(jié)區(qū)激發(fā)出的載流子的量,降低了太陽能電池10的光電轉(zhuǎn)換效率。
發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此,確有必要提供一種具有較高光電轉(zhuǎn)換效率的太陽能電池。
一種太陽能電池,其包括:至少一電池單元,每一電池單元包括依次層疊設(shè)置的一第一電極層、一P型硅層、一N型硅層及一第二電極層,該P(yáng)型硅層與該N型硅層接觸并在接觸區(qū)域形成一P-N結(jié)區(qū),其中,所述每一電池單元的與P型硅層與N型硅層相接觸的界面相交的表面為受光端面,且所述受光端面為曲面。
一種太陽能電池,其包括:至少一電池單元,每一電池單元包括依次并排且接觸設(shè)置的一第一電極層、一P型硅層、一N型硅層及一第二電極層,該P(yáng)型硅層與該N型硅層接觸并形成一P-N結(jié)區(qū),其中,上述各層沿一直線連續(xù)設(shè)置成一排構(gòu)成一整體結(jié)構(gòu),所述整體結(jié)構(gòu)具有一第一表面、一第二表面及連接該第一表面和該第二表面的一側(cè)面,所述第一表面為所述第一電極層遠(yuǎn)離P型硅層的表面,所述第二表面為所述第二電極層遠(yuǎn)離N型硅層的表面,所述側(cè)面的至少一部分為曲面,且該曲面為該太陽能電池直接接受光線入射的受光端面。
相較于現(xiàn)有技術(shù),所述太陽能電池工作時,光可直接入射至所述受光端面,由于該受光端面沒有被電極覆蓋,使得光子不必先經(jīng)過電極、N型硅層后才到達(dá)P-N結(jié)區(qū),從而減少了電極和N型硅層對光的吸收,提高了P-N結(jié)區(qū)的光吸收率,相應(yīng)地,使得P-N結(jié)區(qū)可激發(fā)出更多的電子-空穴對,提高了整個太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。另外,受光端面為曲面,因此接受太陽光的面積更大了,相對于平面的受光端面可以更廣泛的接受不同方向的光,進(jìn)一步提高太陽能電池的光電轉(zhuǎn)換效率。
附圖說明
圖1為現(xiàn)有技術(shù)中的太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的太陽能電池的制備方法的流程圖。
圖3為圖2所示流程圖的子流程圖。
圖4為圖2所示流程圖的一個步驟的示意圖。
圖5為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖6為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的另一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖7為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的又一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖8為本發(fā)明第一實(shí)施例提供的又一種太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖9為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的太陽能電池的制備方法的部分示意圖。
圖10為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的太陽能電池的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖11為本發(fā)明第二實(shí)施例提供的太陽能電池組的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖12為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的太陽能電池的制備方法的流程圖。
圖13為本發(fā)明第三實(shí)施例提供的太陽能電池組的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖14為本發(fā)明第四實(shí)施例提供的太陽能電池的制備方法的流程圖。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進(jìn)行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





