[發(fā)明專利]太陽能電池有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201110450096.8 | 申請日: | 2011-12-29 |
| 公開(公告)號: | CN103187456A | 公開(公告)日: | 2013-07-03 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 金元浩;李群慶;范守善 | 申請(專利權(quán))人: | 清華大學(xué);鴻富錦精密工業(yè)(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0236 | 分類號: | H01L31/0236 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 100084 北京市海淀區(qū)清*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 太陽能電池 | ||
1.一種太陽能電池,其包括:至少一電池單元,每一電池單元包括依次層疊設(shè)置的一第一電極層、一P型硅層、一N型硅層及一第二電極層,該P型硅層與該N型硅層接觸并在接觸區(qū)域形成一P-N結(jié)區(qū),其特征在于,所述每一電池單元具有一表面與所述P型硅層與N型硅層的接觸面相交作為受光端面,且所述受光端面為曲面。
2.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述至少一電池單元的個數(shù)為一。
3.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述每一電池單元中所述P型硅層具有相對的一第一表面和一第二表面,該N型硅層具有相對的一第三表面和一第四表面,該第一電極層設(shè)置在該P型硅層的第一表面,并與該P型硅層電接觸,該第二電極層設(shè)置在該N型硅層的第四表面,并與該N型硅層電接觸,該P型硅層的第二表面與該N型硅層的第三表面相接觸形成所述P-N結(jié)區(qū)。
4.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,該P型硅層進一步具有連接整個所述第一表面和第二表面的一側(cè)面,該P型硅層側(cè)面的至少一部分為曲面,該N型硅層進一步具有連接整個所述第三表面和第四表面的一側(cè)面,該N型硅層側(cè)面的至少一部分為曲面,所述P型硅層側(cè)面的曲面部分與所述N型硅層側(cè)面的曲面部分相對應(yīng)結(jié)合在一起共同構(gòu)成所述受光端面。
5.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,該P型硅層進一步具有連接整個所述第一表面和第二表面的相連接的一第一側(cè)面和一第二側(cè)面,該第一側(cè)面為曲面,該N型硅層進一步具有連接整個所述第三表面和第四表面的相連接的一第三側(cè)面和一第四側(cè)面,該第三側(cè)面為曲面,所述第一側(cè)面和第三側(cè)面并接在一起構(gòu)成所述受光端面。
6.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池,其特征在于,所述第二側(cè)面和所述第四側(cè)面均為一平面,該第二側(cè)面和第四側(cè)面并接在一起構(gòu)成一所述電池單元的放置面。
7.如權(quán)利要求5所述的太陽能電池,其特征在于,所述受光端面為圓弧面。
8.如權(quán)利要求3所述的太陽能電池,其特征在于,該第二電極層為整體覆蓋該N型硅層的第四表面的金屬材料層,該第一電極層為整體覆蓋該P型硅層的第一表面的金屬材料層。
9.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述受光端面進一步覆蓋有一厚度小于150納米的減反射層,所述減反射層的材料為氮化硅或二氧化硅。
10.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述每一電池單元通過所述受光端面暴露出所述P型硅層和所述N型硅層。
11.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述至少一電池單元的個數(shù)為多個,所述多個電池單元分布于至少一行構(gòu)成至少一電池組,且在每一行中的多個電池單元串聯(lián)設(shè)置形成一電池組。
12.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述至少一電池組為多個,所述多個電池單元分布于至少一列構(gòu)成至少一電池組,且在每一列中的多個電池單元并聯(lián)設(shè)置形成一電池組。
13.如權(quán)利要求1所述的太陽能電池,其特征在于,所述至少一電池單元的個數(shù)為多個,所述多個電池單元分布于多行多列,且在每一行中的多個電池單元串聯(lián)設(shè)置,在每一列中的多個電池單元并聯(lián)設(shè)置。
14.如權(quán)利要求12所述的太陽能電池,其特征在于,所述多個電池單元排列成多列時,共同構(gòu)成一個太陽能電池的曲面的受光端面。
15.如權(quán)利要求11或13所述的太陽能電池,其特征在于,所述每一行中,所述每個太陽能電池單元的第二電極層與相鄰的太陽能電池單元的第一電極層接觸。
16.如權(quán)利要求12或13所述的太陽能電池,其特征在于,所述每一列中,所述每個太陽能電池單元的第一電極層與相鄰的太陽能電池單元的第一電極層接觸,所述每個太陽能電池單元的第二電極層與相鄰的太陽能電池單元的第二電極層接觸。
17.如權(quán)利要求12或13所述的太陽能電池,其特征在于,每一電池單元中所述P型硅層具有相對的一第一表面和一第二表面,該N型硅層具有相對的一第三表面和一第四表面,該第一電極層設(shè)置在該P型硅層的第一表面,并與該P型硅層電接觸,該第二電極層設(shè)置在該N型硅層的第四表面,并與該N型硅層電接觸,該P型硅層的第二表面與該N型硅層的第三表面相接觸形成所述P-N結(jié)區(qū)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





