[發明專利]三維封裝方法以及封裝體

無效

• 申請號: 201110449518.X
• 申請日: 2011-12-29
• 公開（公告）號: CN102623362A
• 公開（公告）日: 2012-08-01
• 發明（設計）人: 魏星;曹共柏;林成魯;張峰;張苗;王曦
• 申請（專利權）人: 上海新傲科技股份有限公司
• 主分類號: H01L21/60
• 分類號: H01L21/60;H01L21/56;H01L23/522;H01L23/482;H01L25/00
• 代理公司: 上海翼勝專利商標事務所(普通合伙) 31218
• 代理人: 孫佳胤;翟羽

1.一種三維封裝方法，其特征在于，包括如下步驟：

提供半導體襯底和支撐襯底，所述半導體襯底依次包括支撐層、支撐層表面的重摻雜層以及重摻雜層表面的器件層，所述器件層中包含至少一半導體器件；

在半導體襯底和/或支撐襯底的表面形成絕緣層；

以所述絕緣層為中間層，將所述半導體襯底和支撐襯底貼合在一起；

采用自停止腐蝕工藝去除所述半導體襯底中的支撐層和重摻雜層；

在器件層中形成多個貫孔，所述貫孔的位置與半導體器件的焊盤的位置對應，并暴露出半導體器件的焊盤；?采用導電填充物填平所述貫孔。

2.根據權利要求1所述的三維封裝方法，其特征在于，所述半導體襯底采用如下步驟形成：

提供半導體襯底；

將摻雜元素注入至半導體襯底中，形成重摻雜層，并同時在半導體襯底的表面分離出器件層；

在器件層中制作至少一半導體器件。

3.根據權利要求1或2所述的三維封裝方法，其特征在于，所述半導體襯底的材料為單晶硅，所述重摻雜層中的摻雜元素為硼。

4.根據權利要求1所述的三維封裝方法，其特征在于，所述絕緣層的材料選自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的任意一種。

5.根據權利要求1所述的三維封裝方法，其特征在于，所述導電填充物為金屬。

6.根據權利要求1所述的三維封裝方法，其特征在于，所述支撐襯底的材料選自于單晶硅、藍寶石、碳化硅以及玻璃中的任意一種。

7.根據權利要求1所述的三維封裝方法，其特征在于，所述支撐襯底中預先制備有完整的集成電路結構或者單管。

8.一種采用權利要求1所述方法形成的封裝體，其特征在于，依次包括支撐襯底、支撐襯底表面的絕緣層、以及絕緣層表面的器件層，所述器件層中包含至少一半導體器件，所述器件層中具有多個貫孔，所述貫孔的位置與半導體器件的焊盤的位置對應，并暴露出半導體器件的焊盤，所述貫孔中填充有導電填充物。

9.根據權利要求8所述的封裝體，其特征在于，所述絕緣層的材料選自于氧化硅、氮化硅和氮氧化硅中的任意一種。

10.根據權利要求8所述的封裝體，其特征在于，所述導電填充物為金屬。

11.根據權利要求8所述的封裝體，其特征在于，所述半導體襯底的材料為單晶硅，所述支撐襯底的材料選自于單晶硅、藍寶石、碳化硅以及玻璃中的任意一種。

12.根據權利要求8所述的封裝體，其特征在于，所述支撐襯底中預先制備有完整的集成電路結構或者單管。