[發明專利]使用金屬過孔（VIA）構成的電感設計無效
| 申請號： | 201110448996.9 | 申請日： | 2011-12-29 |
| 公開（公告）號： | CN103187156A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 不公告發明人 | 申請（專利權）人： | 上海摩晶電子科技有限公司 |
| 主分類號： | H01F37/00 | 分類號： | H01F37/00;H01F41/00;H01L21/768 |
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| 地址： | 200235 上海*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 使用 金屬 via 構成 電感 設計 | ||
【說明書】：
技術領域
本發明適用于生成電路內部的電感線圈設計，提出了一種利用過孔增大金屬層有效高度，提高線圈性能的方法。
背景技術
在RF?集成電路的設計中，通常要用到集成到芯片內部的電感器。對電感器來說，最主要的參數是單位電感和Q值，而這兩者又是與金屬層的厚度直接相關的，因此，專用的RF工藝往往加大某幾層金屬的厚度。這是以提高工藝難度和成本為代價的。
發明內容
本發明采用高密度過孔連接的方法，以增高等效金屬厚度。也就是說，用設計法則允許的最小間距將上下二曾金屬連接起來。如果工藝條件允許，還可以選用更寬的過孔。由于電場線在靠近過孔的區間基本是垂直于過孔方向，這種設計的結果基本相當于具有上層金屬加過孔高加下層金屬的高度。
附圖說明
圖1是密集過孔陣連接的二層金屬（A?,?B）的示意圖。
具體實施方式
本發明中具體的電感值可以有場解析軟件（field?solver）給出。
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