[發明專利]顯示元件的結構、顯示元件的制造方法及接墊結構無效
| 申請號: | 201110447593.2 | 申請日: | 2011-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN102751305A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發明(設計)人: | 曾士豪;洪仕馨;胡至仁 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;王穎 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 元件 結構 制造 方法 | ||
技術領域
本發明涉及一種顯示元件的結構、其制造方法及接墊結構,且特別是有關于一種顯示器的顯示元件的結構、其制造方法及接墊結構。
背景技術
隨著顯示技術的突飛猛進,顯示器已從早期的陰極射線管(CRT)顯示器逐漸地發展到目前的平面顯示器(Flat?Panel?Display,FPD)。相較于硬質載板(諸如玻璃基板)所構成的平面顯示器,由于可撓性基板(諸如塑膠基板)具有可撓曲及耐沖擊等特性,因此近年來已著手研究將主動元件制作于可撓性基板上的可撓式顯示器。
一般來說,顯示器是由多個像素結構所構成,而每一個像素結構包括薄膜晶體管以及與薄膜晶體管電性連接的像素電極。對于穿透式顯示面板來說,像素電極通常是采用銦錫氧化物(ITO)透明電極材料。傳統形成像素電極的方法是利用沉積方式形成銦錫氧化物薄膜之后,再以光刻以及蝕刻程序將上述的銦錫氧化物薄膜圖案化,以形成各像素電極圖案。
然而,由于銦錫氧化物屬于無機氧化物,此種材料本身具有易脆性。因此,若將銦錫氧化物應用于可撓式顯示器的像素電極時,將容易有像素電極碎裂(crack)的問題產生,如此將導致該像素結構無法正常驅動。
發明內容
本發明提供一種顯示元件的結構、顯示元件的制造方法及接墊結構,可以避免可撓式顯示器的像素電極容易產生碎裂的問題。
本發明提出一種顯示元件的結構,其包括主動元件、保護層、像素電極以及第一導電材料。保護層覆蓋主動元件,其中保護層中具有第一接觸窗開口以暴露出主動元件的一部分。像素電極位于保護層上,其中像素電極是由多個微導電結構構成的非薄膜形式的電極或是包括有機導電高分子材料。第一導電材料位于第一接觸窗開口處并且與被暴露出的主動元件電性連接,其中像素電極與第一導電材料電性連接。
本發明提出一種顯示元件的制造方法。此方法包括在基板上形成主動元件。在基板上形成保護層以覆蓋主動元件。在保護層中形成第一接觸窗開口以暴露出主動元件的一部分。在保護層上形成像素電極,其中所述像素電極是由多個微導電結構構成的非薄膜形式的電極或是包括有機導電高分子材料。在第一接觸窗開口處形成第一導電材料,其中所述第一導電材料與被暴露出的主動元件電性連接,且像素電極與第一導電材料電性連接。
本發明提出一種接墊結構,其包括接墊、保護層、接觸圖案以及導電材料。保護層覆蓋接墊,且保護層內具有至少一接觸窗開口以暴露出接墊。接觸圖案位于保護層上,其中接觸圖案是由多個微導電結構所構成的非薄膜形式的圖案。導電材料位于接觸窗開口處并與被暴露出的接墊電性連接,其中接觸圖案與導電材料電性連接。
基于上述,本發明采用由微導電結構所構成的非薄膜形式的電極或是有機電高分子材料作為像素電極,并且通過第一導電材料將像素電極與主動元件電性連接。另外本發明亦采用由微導電結構所構成的非薄膜形式的電極作為接墊結構的接觸圖案。由于由微導電結構所構成的非薄膜形式的電極或是有機電高分子材料具有可撓曲性質,因而將其用于可撓式顯示器不會有碎裂的問題。另外,因本發明是通過第一導電材料將像素電極與主動元件電性連接,因此可以避免像素電極因是非薄膜形式之故而容易與主動元件之間有電性接觸不佳的問題。
為讓本發明的上述特征和優點能更明顯易懂,下文特舉實施例,并配合所附附圖作詳細說明如下。
附圖說明
圖1是根據本發明一實施例的顯示元件的剖面示意圖;
圖2A至圖2C是根據本發明數個實施例的顯示元件的接觸開口處的俯視示意圖;
圖3是根據本發明一實施例的顯示元件的剖面示意圖;
圖4是根據本發明一實施例的顯示元件的剖面示意圖;
圖5是根據本發明一實施例的接墊結構的俯視示意圖;
圖6是圖5沿著剖面線A-A’的剖面示意圖;
圖7以及圖8是根據本發明的實施例的接墊結構的剖面示意圖;
圖9是根據本發明一實施例的顯示面板的俯視示意圖;
圖10A是根據本發明一實施例的顯示元件于顯示區的剖面示意圖;
圖10B是根據本發明一實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖;
圖10C是圖10A的顯示元件的區域R處的俯視圖;
圖11A是根據本發明一實施例的顯示元件于顯示區的剖面示意圖;
圖11B是根據本發明一實施例的顯示元件于接合區的剖面示意圖;
圖11C是圖11A的顯示元件的區域R處的俯視圖;
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





