[發明專利]顯示元件的結構、顯示元件的制造方法及接墊結構無效
| 申請號: | 201110447593.2 | 申請日: | 2011-12-23 |
| 公開(公告)號: | CN102751305A | 公開(公告)日: | 2012-10-24 |
| 發明(設計)人: | 曾士豪;洪仕馨;胡至仁 | 申請(專利權)人: | 友達光電股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L27/02;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 | 代理人: | 梁揮;王穎 |
| 地址: | 中國臺灣新竹科*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 顯示 元件 結構 制造 方法 | ||
1.一種顯示元件的結構,其特征在于,包括:
一主動元件;
一保護層,覆蓋該主動元件,其中該保護層中具有一第一接觸窗開口,暴露出該主動元件的一部分;
一像素電極,位于該保護層上,其中該像素電極是由多個微導電結構所構成的一非薄膜形式的電極或是包括一有機導電高分子材料;以及
一第一導電材料,位于該第一接觸窗開口處,并與被暴露出的該主動元件電性連接,其中該像素電極與該第一導電材料電性連接。
2.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中這些微導電結構包括彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲、納米導電顆粒或是其組合。
3.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該像素電極是由彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲、納米導電顆粒以及該有機導電高分子材料至少其中之二所構成的一混合材料層或是一迭層。
4.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該像素電極中還包括一粘著劑。
5.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,還包括一覆蓋層,至少部分覆蓋該像素電極。
6.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該第一導電材料覆蓋該第一接觸窗開口的表面,且該像素電極覆蓋該第一導電材料。
7.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該第一導電材料填入該第一接觸窗開口。
8.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該像素電極填入該第一接觸窗開口內以與該導電材料電性連接,或是未填入該第一接觸窗開口而與該第一導電材料于該保護層的表面上電性接觸。
9.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該第一導電材料包括一有機導電材料、含導電納米顆粒的一導電墨水材料、一金屬材料或是一金屬氧化物材料。
10.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該第一導電材料更延伸至該第一接觸窗開口之外,且該像素電極與該第一導電材料具有相同的圖案。
11.根據權利要求10所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該第一導電材料位于該像素電極的下方。
12.根據權利要求1所述的顯示元件的結構,其特征在于,還包括:
一接墊;
該保護層覆蓋該接墊,且該保護層內具有至少一第二接觸窗開口,其暴露出該接墊;
一接觸圖案,位于該保護層上,其中該接觸圖案是由多個微導電結構所構成的一非薄膜形式的電極或是包括一有機導電高分子材料;以及
一第二導電材料,位于該第二接觸窗開口處,并與被暴露出的該接墊電性連接,其中該接觸圖案與該第二導電材料電性連接。
13.根據權利要求12所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中這些微導電結構包括彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲或是納米導電顆粒或是其組合。
14.根據權利要求12所述的顯示元件的結構,其特征在于,其中該接觸圖案是由彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲、納米導電顆粒以及該有機導電高分子材料至少其中之二所構成的一混合材料層或是一迭層。
15.一種顯示元件的制造方法,其特征在于,包括:
于一基板上形成一主動元件;
在該基板上形成一保護層,覆蓋該主動元件;
在該保護層中形成一第一接觸窗開口,暴露出該主動元件的一部分;
于該保護層上形成一像素電極,其中該像素電極是由多個微導電結構構成的一非薄膜形式的電極或是包括一有機導電高分子材料;以及
于該第一接觸窗開口處形成一第一導電材料,其中該第一導電材料與被暴露出的該主動元件電性連接,且該像素電極與該第一導電材料電性連接。
16.根據權利要求15所述的顯示元件的制造方法,其特征在于,其中這些微導電結構包括彼此堆疊的細致金屬絲或導電納米管、構成一網狀結構的金屬絲或是納米導電顆粒或是其組合。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于友達光電股份有限公司,未經友達光電股份有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110447593.2/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:破碎煤巖體注漿系統
- 下一篇:一種樁基礎橋墩的基底搖擺隔震裝置
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





