[發明專利]真空鍍膜裝置及其方法

無效

• 申請號: 201110446897.7
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN103184413A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 錢青;龔立光
• 申請（專利權）人: 英萊新能（上海）有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/56
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 盧剛

技術領域

本發明涉及鍍膜技術，特別涉及真空鍍膜技術。

背景技術

在真空中制備膜層，包括鍍制晶態的金屬、半導體、絕緣體等單質或化合物膜，包括物理沉積鍍膜、化學沉積鍍膜和蒸發鍍膜等類型。目前的真空鍍膜裝置包含：一個真空進片腔體、一個前真空傳輸腔體、一個真空工藝腔體組(真空工藝腔體組中包含一個或多個串聯的真空工藝腔體)、一個后真空傳輸腔體和一個真空出片腔體。

需要進行鍍膜的基片從真空進片腔體的入口端進入，當基片進入到真空進片腔體后，關閉真空進片腔體上的真空閥門，并將真空進片腔體抽真空。當真空進片腔體處于真空狀態后，將基片從真空進片腔體經由前真空傳輸腔體傳輸到真空工藝腔體組中，由真空工藝腔體組中的一個或多個真空工藝腔體對該基片進行鍍膜工藝處理，在完成鍍膜工藝處理后，將完成鍍膜工藝的基片傳輸至后真空傳輸腔體，后真空傳輸腔體再將該基片傳輸至真空出片腔體進行出片。

然而，本發明的發明人發現，目前的真空鍍膜裝置在一次鍍膜工藝過程中，只能對一片基片進行鍍膜處理，因此在產出率及成本上都不夠理想。

發明內容

本發明的目的在于提供一種真空鍍膜裝置及其方法，使得真空鍍膜裝置可同時對至少兩片基片進行兩種相同或不同的工藝過程，從而大大提高了生成效率，降低了生產成本。

為解決上述技術問題，本發明的實施方式提供了一種真空鍍膜裝置，包含：一個前真空傳輸腔體、至少兩個并列的真空工藝腔體組、一個后真空傳輸腔體；

所述前真空傳輸腔體與并列的各所述真空工藝腔體組相連，該前真空傳輸腔體將至少兩片基片同時或先后分別傳輸至并列的各所述真空工藝腔體組；一片基片傳輸至一個所述真空工藝腔體組中，每個所述真空工藝腔體組中，包含至少一個真空工藝腔體；

各所述真空工藝腔體組均與所述后真空傳輸腔體相連，各所述真空工藝腔體組將完成鍍膜工藝的基片傳輸至所述后真空傳輸腔體后出片；

其中，前真空傳輸腔體內設有真空壓力控制器，該壓力控制器在需對所述各基片進行相同的鍍膜工藝時，將所述前真空傳輸腔體內的壓力控制為各所述真空工藝腔體組中的相同壓力；該真空壓力控制器在需對所述各基片進行不同的鍍膜工藝時，依次將所述前真空傳輸腔體內的壓力控制為目標真空工藝腔體組中的壓力，所述目標真空工藝腔體組為當下需要將基片傳輸至的真空工藝腔體組。

本發明的實施方式還提供了一種真空鍍膜方法，包含以下步驟：

通過一個前真空傳輸腔體將至少兩片基片同時或先后分別傳輸至并列的至少兩個真空工藝腔體組；一片基片傳輸至一個所述真空工藝腔體組中；

由所述真空工藝腔體組中包含的真空工藝腔體，對接收到的基片進行鍍膜工藝處理；

所述真空工藝腔體組在完成對基片進行的鍍膜工藝處理后，將完成鍍膜工藝的基片傳輸至后真空傳輸腔體后出片；

其中，在將至少兩片基片同時或先后分別傳輸至并列的至少兩個所述真空工藝腔體組的步驟中，包含以下子步驟：

判斷各所述基片是否需要進行相同的鍍膜工藝，如果是，則將所述前真空傳輸腔體內的壓力控制為各所述真空工藝腔體組中的相同壓力；如果判定各基片需要進行不同的鍍膜工藝，則依次將所述前真空傳輸腔體內的壓力控制為目標真空工藝腔體組中的壓力，所述目標真空工藝腔體組為當下需要將基片傳輸至的真空工藝腔體組。

本發明實施方式相對于現有技術而言，一個前真空傳輸腔體可同時連接至少兩個并列的真空工藝腔體組，每個真空工藝腔體組中包含至少一個真空工藝腔體。比如說，一個前真空傳輸腔體可同時連接兩個并列的真空工藝腔體，根據工藝需求，并列的工藝腔體后可再連接一對或多對并列的真空工藝腔體，串聯的多個真空工藝腔體即為一個真空工藝腔體組，在每個真空工藝腔體組中的最后一個真空工藝腔體后端，連接同一個后真空傳輸腔體。通過在前真空傳輸腔體內設有真空壓力控制器，利用該真空壓力控制器將前真空傳輸腔體內的壓力控制為當前需要的壓力。

由于該真空鍍膜裝置可同時輸入至少兩片基片，進行連續的工藝過程。兩片基片可同時進行兩種不同的工藝過程，也可同時進行兩種相同的工藝過程。因此在同樣的設備安裝面積上，該裝置可增加一倍的產出和降低成本達40％，大大提高了生成效率，降低了生產成本。

優選地，在前真空傳輸腔體、真空工藝腔體組內包含的真空工藝腔體、后真空傳輸腔體中的任意一個或多個腔體內設有加熱器或冷卻器，使得基片可在進行鍍膜前、鍍膜過程中或鍍膜后進行加熱或冷卻處理。