[發(fā)明專利]真空鍍膜裝置及其方法

無效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110446897.7
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN103184413A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設計）人: 錢青;龔立光
• 申請（專利權）人: 英萊新能（上海）有限公司
• 主分類號: C23C14/22
• 分類號: C23C14/22;C23C14/56
• 代理公司: 上海晨皓知識產權代理事務所(普通合伙) 31260
• 代理人: 盧剛

1.一種真空鍍膜裝置，其特征在于，包含：一個前真空傳輸腔體、至少兩個并列的真空工藝腔體組、一個后真空傳輸腔體；

所述前真空傳輸腔體與并列的各所述真空工藝腔體組相連，該前真空傳輸腔體將至少兩片基片同時或先后分別傳輸至并列的各所述真空工藝腔體組；一片基片傳輸至一個所述真空工藝腔體組中，每個所述真空工藝腔體組中，包含至少一個真空工藝腔體；

各所述真空工藝腔體組均與所述后真空傳輸腔體相連，各所述真空工藝腔體組將完成鍍膜工藝的基片傳輸至所述后真空傳輸腔體后出片；

其中，前真空傳輸腔體內設有真空壓力控制器，該真空壓力控制器在需對所述各基片進行相同的鍍膜工藝時，將所述前真空傳輸腔體內的壓力控制為各所述真空工藝腔體組中的相同壓力；該真空壓力控制器在需對所述各基片進行不同的鍍膜工藝時，依次將所述前真空傳輸腔體內的壓力控制為目標真空工藝腔體組中的壓力，所述目標真空工藝腔體組為當下需要將基片傳輸至的真空工藝腔體組。

2.根據權利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，

所述真空工藝腔體組中包含兩個或兩個以上的真空工藝腔體時，各真空工藝腔體以串聯(lián)方式相連接。

3.根據權利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，在以下任意一個或其任意組合的腔體內設置加熱器或冷卻器：

所述前真空傳輸腔體、所述真空工藝腔體組內包含的真空工藝腔體、后真空傳輸腔體。

4.根據權利要求1所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，所述真空鍍膜裝置還包含一個真空進片腔體和一個真空出片腔體；

所述真空進片腔體連接在所述前真空傳輸腔體的前端；所述真空出片腔體連接在所述后真空傳輸腔體的后端；

所述前真空傳輸腔體從所述真空進片腔體中接收所述至少兩片基片；

所述后真空傳輸腔體將完成鍍膜工藝的基片傳輸至所述真空出片腔體。

5.根據權利要求4所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，

所述真空進片腔體將所述至少兩片基片同時或先后傳輸至所述前真空傳輸腔體；

所述后真空傳輸腔體將完成鍍膜工藝的基片同時或先后傳輸至所述真空出片腔體。

6.根據權利要求4所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，所述真空鍍膜裝置還包含用于循環(huán)使用基片架的回片回路，所述回片回路的一端與所述真空出片腔體相連，另一端與所述真空進片腔體相連。

7.根據權利要求1至5中任一項所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，所述基片為以下任意一種材料類型：

玻璃、不銹鋼、碳鋼，鋁、塑料和陶瓷。

8.根據權利要求1至5中任一項所述的真空鍍膜裝置，其特征在于，所述真空鍍膜包含以下任意一種類型的鍍膜：

物理沉積鍍膜、化學沉積鍍膜和蒸發(fā)鍍膜。

9.一種真空鍍膜方法，其特征在于，包含以下步驟：

通過一個前真空傳輸腔體將至少兩片基片同時或先后分別傳輸至并列的至少兩個真空工藝腔體組；一片基片傳輸至一個所述真空工藝腔體組中；

由所述真空工藝腔體組中包含的真空工藝腔體，對接收到的基片進行鍍膜工藝處理；

所述真空工藝腔體組在完成對基片進行的鍍膜工藝處理后，將完成鍍膜工藝的基片傳輸至后真空傳輸腔體后出片；

其中，在將至少兩片基片同時或先后分別傳輸至并列的至少兩個所述真空工藝腔體組的步驟中，包含以下子步驟：

判斷各所述基片是否需要進行相同的鍍膜工藝，如果是，則將所述前真空傳輸腔體內的壓力控制為各所述真空工藝腔體組中的相同壓力；如果判定各基片需要進行不同的鍍膜工藝，則依次將所述前真空傳輸腔體內的壓力控制為目標真空工藝腔體組中的壓力，所述目標真空工藝腔體組為當下需要將基片傳輸至的真空工藝腔體組。

10.根據權利要求9所述的真空鍍膜方法，其特征在于，如果所述真空工藝腔體組中包含兩個或兩個以上的真空工藝腔體，則各真空工藝腔體依次對所述基片進行工藝處理。

11.根據權利要求9所述的真空鍍膜方法，其特征在于，

所述前真空傳輸腔體從真空進片腔體中接收需進行鍍膜工藝的基片；

所述真空工藝腔體組將完成鍍膜工藝的基片傳輸至后真空傳輸腔體后出片的步驟中包含以下子步驟：

所述后真空傳輸腔體將完成鍍膜工藝的基片傳輸至真空出片腔體，由所述真空出片腔體進行所述出片。

12.根據權利要求11所述的真空鍍膜方法，其特征在于，

所述前真空傳輸腔體同時或先后從真空進片腔體中接收需進行鍍膜工藝的基片

所述后真空傳輸腔體將完成鍍膜工藝的基片同時或先后傳輸至所述真空出片腔體。