[發明專利]電路板結構

有效

• 申請號: 201110446462.2
• 申請日: 2011-12-28
• 公開（公告）號: CN103188868A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 楊思枬
• 申請（專利權）人: 輝能科技股份有限公司;英屬開曼群島商輝能控股股份有限公司
• 主分類號: H05K1/05
• 分類號: H05K1/05;B32B15/04;B32B9/04;B32B7/12
• 代理公司: 北京中原華和知識產權代理有限責任公司 11019
• 代理人: 壽寧;張華輝

技術領域

本發明涉及一種電路板結構，其應用于電子裝置的線路布局以及電子組件的配置。

背景技術

軟板(Flexible?Printed?Circuit；FPC)，即可撓性或軟性印刷電路板的簡稱，是將可撓式銅箔基板，經蝕刻等加工制程，最后留下所需線路，以作為電子產品訊號傳輸的媒介。軟性印刷電路板主要用以搭載電子零件，如集成電路芯片、電阻、電容、連接器等組件，以使電子產品能發揮既定功能。另一方面，相較于硬式電路板，軟板材質特性為可撓性，且具有容易彎折、重量輕、厚度薄等優點，因此經常應用于需要輕薄設計或可動式機構設計的產品，如手機、筆記本電腦、顯示器、消費性電子產品、薄膜電池、觸控面板及IC構裝等。

軟性銅箔基板（Flexible?Copper?Clad?Laminate；FCCL）為軟板最重要的上游產品，其結構主要為將銅箔以接著劑黏合于絕緣的基板上來形成三層的結構，目前最常見的是以環氧樹脂?(Epoxy)、聚酯樹脂(Polyester)、壓克力樹脂(Acrylic)等材料作為接著劑來予以黏接。然而，因為環氧樹脂等接著劑的主鏈過于剛硬，因此在高溫處理下，容易因熱縮性而產生翹曲的現象；為了改善此一問題，后續發展出無膠型態的雙層軟性銅箔基板(2L?FCCL)。

而2LFCCL乃是將環氧樹脂等接著劑予以省略，而直接以涂布（Casting）、金屬濺鍍（Sputtering）、或是層壓（Laminate）等方式來直接將銅箔結合于軟性的基板（譬如為聚亞酰胺(polyimide；PI）等），而改善接著層過于剛硬而容易于高溫下彎曲、翹曲的問題。然而，因為材料先天的問題，不論三層或是雙層的軟性銅箔基板，都面臨到相當嚴重的問題。

因主要的基板材料聚亞酰胺(polyimide；PI）以及作為接著劑的環氧樹脂?(Epoxy)、壓克力樹脂(Acrylic)等材料，都具有極性且吸水性高，當運用于高電壓且線路密集的狀態時，譬如為液晶顯示器（LCD）、有機發光二極管(Organic?Light-Emitting?Diode；OLED)、電漿顯示器等，如圖1所示，以三層的軟性銅箔基板為例，藉由基板40上的金屬層形成有第一線路43以及第二線路44，而底下分別為接著層41、42，因第一線路43以及第二線路44之間的間距S相當小，在高電壓狀態下，因接著層41、42以及基板40皆具有極性且吸水性高，很容易產生離子遷移（ion?migration）的現象（假設第一線路43與第二線路44分別傳輸正、負訊號），而造成訊號強度降低，更甚者會造成無法作動，使得顯示器部份區域無法正常顯示。另一方面，即便是雙層的的軟性銅箔基板，金屬層直接設置于PI上，因PI也是具有極性且易于吸水，也會面臨同樣的問題。

有鑒于上述，本發明遂針對上述現有技術的缺失，提出一種新型態的電路板結構，以有效克服上述問題。

發明內容

本發明的目的在于提供一種電路板結構，以改善現有電路板容易彎曲或是翹曲的情況，同時可避免在高電壓下形成電子解離的情況，而不會產生壓降或是訊號強度減弱等窘境。

為達成上述目的，本發明采用如下的技術方案：

一種電路板結構，其特征在于，包含有：

一基板；

一硅膠層，所述基板設于該硅膠層的一側；

一金屬層，其設置于該硅膠層的另一側。

該電路板結構還包含有一改質硅膠層，其設置于該基板以及該硅膠層之間。

該電路板結構還包含有一改質硅膠層，其設置于該金屬層以及該硅膠層之間。

該改質硅膠層預先予以處理藉以調整其接口張力與材料極性。

該改質硅膠層由調整加成型硅膠與縮合型硅膠的組成比例來予以改質。

該改質硅膠層在硅膠內增添環氧樹脂、壓克力樹脂或其組合。

采用上述結構后，本發明電路板結構包含基板、硅膠層以及金屬層，硅膠層設置于基板上，并藉以將金屬層黏著于基板上，因硅膠硬化后仍具有一定的形變能力，因此，高溫烘烤后可以吸收金屬層以及基板，因高溫處理后所產生熱縮性的變形，使得整體電路板結構不至于產生彎曲變形或是翹曲等狀況。同時，硅膠不具有極性以及阻水性佳，可解決現有電路板利用環氧樹脂?(Epoxy)、聚酯樹脂(Polyester)、壓克力樹脂(Acrylic)等材料作為接著層，以及譬如為聚亞酰胺(polyimide)等基板材料易于吸水以及具有極性所衍生的問題，而可于高壓運作下，不會因離子解離而導致壓降或是訊號強度降低、甚至崩壞的問題。