[發明專利]一種雙界面卡的生產方法及其設備有效
| 申請號: | 201110445447.6 | 申請日: | 2011-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN102543769A | 公開(公告)日: | 2012-07-04 |
| 發明(設計)人: | 王開來 | 申請(專利權)人: | 廣州市明森機電設備有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;G06K19/07 |
| 代理公司: | 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245 | 代理人: | 楊曉松 |
| 地址: | 510650 廣東省廣州*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 界面 生產 方法 及其 設備 | ||
技術領域
本發明涉及IC卡處理技術,特別涉及一種雙界面卡的生產方法及其設備。
背景技術
雙界面卡是基于單芯片的,集接觸式與非接觸式接口為一體的智能卡,其具有兩個操作界面,對芯片的訪問,可以通過接觸方式的觸點,也可以通過相隔一定距離,以射頻方式來訪問芯片。由于雙界面卡綜合了接觸式智能卡和非接觸式智能卡的優點,因此具有廣泛的適用性,可滿足一卡多用的需要。
在雙界面卡生產制造過程中,早期是采用人工方式將雙界面芯片焊接到雙界面卡片的天線線圈上。然而,采用人工生產方式不但生產效率低、而且質量難以控制,成品率較低。
為了克服人工生產方式的不足,后來出現了機械自動生產方式,例如,專利號為CN200910105480.7的中國專利公開了一種雙界面卡的生產方法及設備,其包括用上錫備膠機進行下列步驟:S1:在雙界面芯片上預定的焊點上焊上焊錫;S2:將焊錫后的焊點上多余的焊錫除去;S3:將熱熔膠焊接到雙界面芯片上;以及用封裝機完成下列步驟:S4:對具備焊錫和熱熔膠的雙界面芯片進行沖切;S5:將沖切下的雙界面芯片進行翻轉、轉向;S6:對卡片和雙界面芯片進行位置修正并碰焊,然后將碰焊后的卡片和雙界面芯片進行兩次位置修正后點焊;S7:對帶有雙界面芯片的卡片進行熱焊。
然而,上述雙界面卡的生產方法存在以下不足:
(1)在步驟S1預焊過程中必須采用逐點焊接,這樣多次重復操作不僅費時費工,而且在保持焊點上錫質量一致性方面有較大難度;對于多上焊錫的情況可通過步驟S2來糾正,但對于少上焊錫的情況就沒有辦法克服了,很可能因此導致廢品產生;另外,必須通過步驟S2將焊點上多余的焊錫除去,以盡可能實現上錫的一致性,這樣不但造成錫膏的浪費,不符合節能降耗的要求,而且增加工序,浪費時間,使得生產效率降低。
(2)生產過程中必須將雙界面芯片進行翻轉、轉向,其工序復雜,造成焊接速度較慢,不利于提高生產效率。
(3)雙界面芯片焊接之前,一般還需要將卡片上的天線進行扶直,即是將天線的線圈端部進行兩次校正校直,很需時費工,而且操作工序的增加勢必增加出現故障的可能性。
發明內容
本發明的目的在于克服現有技術的缺點與不足,提供一種工序簡單、合理,生產效率高,成品率高且節省原料的雙界面卡的生產方法。
本發明的另一目的在于提供實現上述生產方法的設備,結構合理,生產效率高,產品質量穩定的雙界面卡生產設備。
本發明的目的通過下述技術方案實現:一種雙界面卡的生產方法,其包括如下步驟:
(1)通過網印工藝將錫膏均勻印刷在雙界面芯片需焊接的觸點上,然后對所述雙界面芯片進行加熱處理,使錫膏與觸點相融合,形成均勻的焊錫層,便于天線與芯片牢固焊接;
(2)將熱熔膠貼合到所述雙界面芯片上所設定的位置;
(3)提供已設置芯片避空槽的卡片,所述卡片已內置線圈,該線圈從所述芯片避空槽的內壁延伸出線圈焊接段,設置該線圈焊接段呈向上凸起的弧形;
(4)將所述雙界面芯片水平放置于所述芯片避空槽的上方,保持一定距離,將所述線圈焊接段與所述雙界面芯片需焊接的觸點相焊接;
(5)將所述焊接段收入所述芯片避空槽中,并將所述雙界面芯片直接壓入所述芯片避空槽中;
(6)加熱所述熱熔膠,使得所述雙界面芯片粘接于所述芯片避空槽的內壁。
所述步驟(3)具體可為:提供已設置芯片避空槽的卡片,所述卡片已內置線圈,所述線圈從所述芯片避空槽的內壁延伸出弧形的線圈焊接段,所述線圈焊接段接近于線圈兩頭端部(亦即在接近卡片內的線圈兩頭端部的位置形成線圈焊接段),且位于所述芯片避空槽內,挑起所述線圈焊接段,使得線圈焊接段呈向上凸起的弧形。
所述已內置線圈的卡片具體的生產過程包括:線圈通過超聲波埋焊繞制而成,鑲嵌附著在卡片基材上,該基材上下面再疊加其他基材,通過一定溫度加熱層壓,將線圈牢固地夾持在中間;并將線圈的兩頭端部引至對應芯片避空槽的位置,且兩頭端部都形成弧形的線圈焊接段;將卡片的封裝層壓在線圈上,使線圈的兩頭端部仍鑲嵌附著在基材上,而弧形的線圈焊接段位于卡片上形成的芯片避空槽內。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于廣州市明森機電設備有限公司,未經廣州市明森機電設備有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201110445447.6/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





