[發明專利]氧化硅玻璃坩堝制造方法及氧化硅玻璃坩堝制造裝置

有效

• 申請號: 201110444792.8
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN102531348A
• 公開（公告）日: 2012-07-04
• 發明（設計）人: 須藤俊明;鈴木江梨子
• 申請（專利權）人: 日本超精石英株式會社
• 主分類號: C03B20/00
• 分類號: C03B20/00
• 代理公司: 深圳市維邦知識產權事務所 44269
• 代理人: 王昌花

1.一種氧化硅玻璃坩堝制造裝置，其特征在于包括：

供給氧化硅粉來形成氧化硅粉層的坩堝成形用模具；具備多個碳電極及電力供給部，且通過電弧放電對上述氧化硅粉層進行加熱熔化的電弧放電部；以及至少對上述模具內熔化部分進行溫度測量的溫度測量部，

其中，上述溫度測量部是通過檢測波長4.8～5.2μm的輻射能來測量溫度的輻射溫度計。

2.如權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝制造裝置，其特征在于：上述溫度測量部具備由BaF₂或CaF₂構成的過濾器。

3.如權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝制造裝置，其特征在于：在上述溫度測量部中，將測量溫度范圍設定為400～2800℃。

4.如權利要求1所述的氧化硅玻璃坩堝制造裝置，其特征在于：上述溫度測量部的輻射能檢測位置設定為氧化硅玻璃坩堝的角部。

5.如權利要求1至4中任一項所述的氧化硅玻璃坩堝制造裝置，其特征在于：

進一步具備控制部，該控制部根據上述溫度測量部的測量結果，改變對上述碳電極供給的電力、碳電極位置狀態、模具與碳電極之間的相對位置狀態、模具位置狀態中的任一項，以此控制氧化硅玻璃熔化狀態。

6.一種氧化硅玻璃坩堝制造方法，其特征在于包括：

向上述模具內部供給氧化硅粉來形成氧化硅粉層的氧化硅粉供給工序，以及

根據多根碳電極的電弧放電來熔化氧化硅粉層的電弧熔化工序；

其中，至少在上述電弧熔化工序中具備溫度測量工序，該溫度測量工序根據作為輻射溫度計的溫度測量部檢測出波長4.8～5.2μm的輻射能，以此對上述模具內的熔化部分進行溫度測量。

7.如權利要求6所述的氧化硅玻璃坩堝制造方法，其特征在于：在上述溫度測量工序中，上述溫度測量部隔著由BaF₂或CaF₂構成的過濾器透過上述輻射能來進行溫度測量。

8.如權利要求6所述的氧化硅玻璃坩堝制造方法，其特征在于：在上述溫度測量工序中，將上述溫度測量部的測量溫度范圍設定為400～2800℃。

9.如權利要求6所述的氧化硅玻璃坩堝制造方法，其特征在于：在上述溫度測量工序中，將上述溫度測量部所進行的輻射能檢測位置設定為氧化硅玻璃坩堝的角部。

10.如權利要求6至9中任一項所述的氧化硅玻璃坩堝制造方法，其特征在于：在上述溫度測量工序中，根據來自上述溫度測量部的測量結果，改變供給于上述碳電極電力、碳電極位置狀態、模具與碳電極之間的相對位置狀態、模具位置狀態之中的任一項，以此控制氧化硅玻璃的熔化狀態。