[發明專利]光刻中曝光條件設置方法

有效

• 申請號: 201110443832.7
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN103186051A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 黃瑋
• 申請（專利權）人: 無錫華潤上華科技有限公司
• 主分類號: G03F7/20
• 分類號: G03F7/20
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司 72001
• 代理人: 唐立;王忠忠

技術領域

?本發明屬于半導體光刻技術領域，涉及光刻中曝光條件設置方法，尤其涉及在同一工藝平臺下初次使用的光刻版的第一次光刻的過程中的曝光條件設置方法，在該方法中考慮了光刻版的供應商的不同所導致的第一次光刻的晶片的特征尺寸（CD）差異。

背景技術

????光刻是半導體制造技術中主要用來構圖的方法之一，其中，通過光刻版將圖案轉移至晶片的光刻膠上，因此，光刻版是光刻過程的常用工具。在光刻的過程中，所光刻構圖形成的晶片的特征尺寸（Critical?Dimension，又稱為“CD”或“特征線寬”）是光刻過程中的關鍵工藝參數，其主要由光刻版的CD決定。在光刻的過程中，通過設置曝光條件中的曝光能量，可以控制晶片的CD不超出特定的工藝規范。

在當前的光刻系統中，各個產品（由晶片制造得到）是按不同的工藝平臺（同一工藝平臺是指除使用的光刻版不同外、其他工藝過程（例如光刻、腐蝕等）是相同的，且工藝規范也一致（例如包括CD、OVL也一致）的其他各個步驟均相同的）進行分類的，同一工藝平臺下的產品的CD工藝規范也是一致的。當在同一工藝平臺下開始生產一個全新的產品時，必然會使用一套新的光刻版（其圖案不同于同一工藝平臺下的其他產品的光刻版的圖案）。該新的產品的光刻版在進行初次光刻時，曝光條件中的初始曝光能量必須被設置以滿足晶片的CD的工藝規范要求（也即CD精度要求）。

一般地，在設置初始曝光能量時，其并未考慮該批新的光刻版的供應商（或稱為光刻版生產廠家）不同于同一工藝平臺下的其他產品的光刻版的供應商，因此，在設置初始曝光能量時，會直接選擇同一工藝平臺下其他產品的曝光能量參數來設置初始曝光能量參數。

但是，芯片制造廠會選擇多家供應商來供應光刻版，特別是對于不同產品的光刻版（一個產品對應使用一套光刻版），即使是在同一工藝平臺下完成，其光刻版的供應商通常不同的；同時，不同供應商對其所生產的光刻版的CD測試設備是不匹配或互不相同的，即使同一工藝平臺下不同產品所對應的各個供應商提供的光刻版的CD被標稱為一致，但實際上光刻版的CD實際上是有所差異的，這種差異會傳導至晶片的CD而產生差異。因此，如果采用相同的曝光條件（例如初始曝光能量），可能會導致同一工藝平臺下的不同產品在第一次光刻過程中、晶片的CD會超出特定的工藝規范，從而會要求該新產品的第一次光刻工藝過程返工，提高了返工率。

發明內容

本發明的目的之一在于，避免光刻版在某一工藝平臺上初次使用用來制備新產品時、第一次光刻的過程中未考慮光刻版的供應商差異因素導致的晶片的CD超出特定的工藝規范的問題。

本發明的又一目的在于，降低光刻過程的返工率。

為實現以上目的或者其他目的，本發明提供一種曝光條件設置方法，用于第一工藝平臺下初次使用的光刻版的第一次光刻過程中，其中，至少根據該光刻版的供應商信息而對應設置所述曝光條件中的初始曝光能量。

按照本發明一優選實施例的曝光條件設置方法，其中，在第一次光刻的過程中，還根據該光刻版的供應商信息而對應設置所述曝光條件中的初始套刻參數。

按照本發明又一優選實施例的曝光條件設置方法，還包括建立光刻版數據庫；其中，

所述光刻版數據庫包括多個所述光刻版的名稱、每個所述光刻版所對應的供應商信息、每個供應商信息對應的曝光能量補償值。

在之前所述實施例的曝光條件設置方法中，優選地，所述光刻版數據庫還包括每個供應商信息對應的套刻參數補償值。

在之前所述實施例的曝光條件設置方法中，優選地，所述套刻參數包括X/Y方向偏移量、X/Y膨脹系數、旋轉度和/或正交性。

在之前所述實施例的曝光條件設置方法中，優選地，所述每個供應商信息對應的曝光能量補償值是由與該光刻版的供應商信息相同的其他光刻版在第一工藝平臺下光刻過程中獲得。

在之前所述實施例的曝光條件設置方法中，優選地，所述每個供應商信息對應的套刻參數補償值是由與該光刻版的供應商信息相同的其他光刻版在第一工藝平臺下光刻過程中獲得。

在之前所述實施例的曝光條件設置方法中，優選地，所述曝光條件設置方法應用于先進工藝控制系統中。

在之前所述實施例的曝光條件設置方法中，優選地，還包括步驟：將所述光刻版數據庫導入所述先進工藝控制系統中。