[發明專利]光刻中曝光條件設置方法有效
| 申請號： | 201110443832.7 | 申請日： | 2011-12-27 |
| 公開（公告）號： | CN103186051A | 公開（公告）日： | 2013-07-03 |
| 發明（設計）人： | 黃瑋 | 申請（專利權）人： | 無錫華潤上華科技有限公司 |
| 主分類號： | G03F7/20 | 分類號： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 唐立;王忠忠 |
| 地址： | 214028 無錫市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 光刻 曝光 條件 設置 方法 | ||
1.一種曝光條件設置方法，用于第一工藝平臺下初次使用的光刻版的第一次光刻過程中，其特征在于，至少根據該光刻版的供應商信息而對應設置所述曝光條件中的初始曝光能量。
2.如權利要求1所述的曝光條件設置方法，其特征在于，在第一次光刻的過程中，還根據該光刻版的供應商信息而對應設置所述曝光條件中的初始套刻參數。
3.如權利要求1或2所述的曝光條件設置方法，其特征在于，還包括建立光刻版數據庫；其中，
所述光刻版數據庫包括多個所述光刻版的名稱、每個所述光刻版所對應的供應商信息、每個供應商信息對應的曝光能量補償值。
4.如權利要求3所述的曝光條件設置方法，其特征在于，所述光刻版數據庫還包括每個供應商信息對應的套刻參數補償值。
5.如權利要求2所述的曝光條件設置方法，其特征在于，所述套刻參數包括X/Y方向偏移量、X/Y膨脹系數、旋轉度和/或正交性。
6.如權利要求3所述的曝光條件設置方法，其特征在于，所述每個供應商信息對應的曝光能量補償值是由與該光刻版的供應商信息相同的其他光刻版在第一工藝平臺下光刻過程中獲得。
7.如權利要求4所述的曝光條件設置方法，其特征在于，所述每個供應商信息對應的套刻參數補償值是由與該光刻版的供應商信息相同的其他光刻版在第一工藝平臺下光刻過程中獲得。
8.如權利要求3所述的曝光條件設置方法，其特征在于，所述曝光條件設置方法應用于先進工藝控制系統中。
9.如權利要求8所述的曝光條件設置方法，其特征在于，還包括步驟：將所述光刻版數據庫導入所述先進工藝控制系統中。
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