[發明專利]發光二極管芯片及其制造方法

有效

• 申請號: 201110443704.2
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN103187495A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 林雅雯;凃博閔;黃世晟;黃嘉宏;楊順貴
• 申請（專利權）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本發明涉及一種半導體，特別是指一種發光二極管芯片及其制造方法。

背景技術

發光二極管芯片做為第三代光源，具有體積小、節能環保等優點，得到越來越廣泛的應用。而發光二極管芯片的發光效率一直是人們努力改善和提高的熱點問題。近年來，除了在磊晶結構部分不斷改善內部量子效率的研究之外，在晶粒制程方面也進行了較多的研究，通過嘗試不同的物理結構以增進出光效率。但是目前的物理結構對于出光效率的提升仍有限，發光二極管芯片的出光效率仍然較低。

發明內容

有鑒于此，有必要提供一種具有較高出光效率的發光二極管芯片及其制造方法。

一種發光二極管芯片，包括基板、設于該基板上的緩沖層、及設于該緩沖層上的磊晶結構。所述磊晶結構包括依次形成在所述緩沖層上的n型半導體層、發光層以及p型半導體層。該基板具有一與所述緩沖層接觸的第一表面，該第一表面上形成有圖案化結構，該n型半導體層具有一遠離所述緩沖層的頂面，該頂面與該緩沖層的第一表面的距離為0.5-2.5μm。

一種發光二極管芯片的制造方法，包括以下步驟：提供一基板，該基板具有一形成有圖案化結構的第一表面；在所述基板的第一表面上形成一緩沖層；在該緩沖層上形成一n型半導體層，該n型半導體層遠離緩沖層的頂面與所述第一表面的距離為0.5-2.5μm；在該n型半導體層上依次形成發光層和p型半導體層。

該發光二極管芯片，由于所述基板的第一表面與n型半導體層的頂面之間的距離為0.5-2.5μm之間，導致發光二極管芯片的發光層發出的光線射向基板的第一表面時，光線角度被第一表面改變較大，從而提升該發光二極管芯片的出光效率。

附圖說明

圖1是本發明實施方式提供的一種發光二極管芯片結構示意圖。

圖2是基板的第一表面與磊晶結構的頂面的距離與出光效率的關系圖。

圖3-圖7為本發明實施方式提供的一種發光二極管芯片制造方法的各步驟示意圖。

主要元件符號說明

發光二極管芯片10基板11第一表面111凸起112縫隙113緩沖層12磊晶結構13頂面131n型半導體層132發光層133p型半導體層134

如下具體實施方式將結合上述附圖進一步說明本發明。

具體實施方式

以下將結合附圖對本發明作進一步的詳細說明。

請參閱圖1，本發明實施方式提供的一種發光二極管芯片10，包括基板11、緩沖層12及磊晶結構13。