[發(fā)明專利]發(fā)光二極管芯片及其制造方法

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201110443704.2
• 申請日: 2011-12-27
• 公開（公告）號: CN103187495A
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 林雅雯;凃博閔;黃世晟;黃嘉宏;楊順貴
• 申請（專利權(quán)）人: 展晶科技（深圳）有限公司;榮創(chuàng)能源科技股份有限公司
• 主分類號: H01L33/02
• 分類號: H01L33/02;H01L33/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種發(fā)光二極管芯片，包括基板、設(shè)于該基板上的緩沖層、及設(shè)于該緩沖層上的磊晶結(jié)構(gòu)，所述磊晶結(jié)構(gòu)包括依次形成在所述緩沖層上的n型半導(dǎo)體層、發(fā)光層以及p型半導(dǎo)體層，其特征在于，該基板具有一與所述緩沖層接觸的第一表面，該第一表面上形成有圖案化結(jié)構(gòu)，該n型半導(dǎo)體層具有一遠(yuǎn)離所述緩沖層的頂面，該頂面與該緩沖層的第一表面的距離為0.5-2.5μm。

2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：該頂面與該第一表面的距離為0.5-1.8μm。

3.如權(quán)利要求1或2任一項所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述圖案化結(jié)構(gòu)由多個凸起所構(gòu)成。

4.如權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述凸起呈圓弧狀，直徑為3μm。

5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管芯片，其特征在于：所述凸起之間的距離為2μm。

6.一種發(fā)光二極管芯片的制造方法，包括以下步驟：

提供一基板，該基板具有一形成有圖案化結(jié)構(gòu)的第一表面；

在所述基板的第一表面上形成一緩沖層；

在該緩沖層上形成一n型半導(dǎo)體層，該n型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離緩沖層的頂面與所述第一表面的距離為0.5-2.5μm；

在該n型半導(dǎo)體層上依次形成發(fā)光層和p型半導(dǎo)體層。

7.如權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：在該緩沖層上形成一n型半導(dǎo)體層的步驟可分為兩步來實現(xiàn)：首先在該緩沖層上形成一3μm?厚的n型半導(dǎo)體層；然后蝕刻該n型半導(dǎo)體層，使得該n型半導(dǎo)體層遠(yuǎn)離緩沖層的頂面與所述第一表面的距離為0.5-2.5μm。

8.如權(quán)利要求7所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：蝕刻該n型半導(dǎo)體層步驟中，蝕刻后所述第一表面與所述頂面的距離為0.5-1.8μm。

9.如權(quán)利要求6至8任一項所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述圖案化結(jié)構(gòu)由多個凸起所構(gòu)成。

10.如權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述凸起呈圓弧狀，直徑為3μm。

11.如權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管芯片的制造方法，其特征在于：所述凸起之間的距離為2μm。